← 返回
高压碳化硅MOSFET的实时FPGA仿真
Real-Time FPGA Simulation of High-Voltage Silicon Carbide MOSFETs
| 作者 | Gard Lyng Rodal · Dimosthenis Peftitsis |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | FPGA 实时仿真 碳化硅 MOSFET 功率模块 动态开关模型 非线性电容 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于FPGA的高压大电流碳化硅（SiC）MOSFET半桥功率模块的实时动态模型。该模型利用Shichman-Hodges方程，结合电压相关的非线性器件电容及模块电气参数，实现了对SiC器件开关过程的精确动态仿真。
English Abstract
This article presents a real-time field-programmable gate array (FPGA)-based dynamic model of high-voltage and high-current silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) half-bridge power modules. The dynamic switching model utilizes the Shichman and Hodges equations using voltage-dependent nonlinear device capacitances and module electrical parameters to obtain ...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率，该研究具有极高的应用价值。基于FPGA的实时仿真技术可显著缩短SiC功率模块的研发周期，优化驱动电路设计，并提升对复杂工况下开关瞬态的预测能力。建议研发团队将其引入硬件在环（HIL）测试平台，以更精准地评估SiC模块在高温、高频环境下的动态特性，从而提升公司核心功率变换产品的可靠性与热管理水平。