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SiC MOSFET并联运行中动态电流平衡的共源电感补偿技术
Common Source Inductance Compensation Technique for Dynamic Current Balancing in SiC MOSFETs Parallel Operations
| 作者 | Boyi Zhang · Ruxi Wang · Peter Barbosa · Qianyi Cheng · Yu-Hsuan Tsai · Wen-Sheng Wang · Wen-Shang Lai · Fu-Yuan Shih |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联运行 动态电流不平衡 寄生电感 共源极电感 牵引逆变器 电力电子 电流平衡 |
语言:
中文摘要
在牵引逆变器等高电流应用中，SiC MOSFET常通过并联以提升电流等级，但不对称布局引起的寄生电感差异会导致动态电流不平衡，进而引发器件及系统故障。本文提出了一种共源电感补偿技术，旨在解决并联SiC MOSFET的动态电流不平衡问题，提升功率模块的运行可靠性。
English Abstract
In high-current applications such as traction inverters, SiC mosfets are paralleled to increase the current rating. One major issue with paralleling SiC mosfets is the dynamic current imbalance. The unbalanced dynamic current could lead to severe device and system failures. A well-known root cause of dynamic current imbalance is the parasitic inductance imbalance due to asymmetrical layout. In thi...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要意义。随着公司产品向更高功率密度演进，SiC器件的大规模并联应用日益增多，动态电流不平衡是制约模块可靠性的关键瓶颈。该补偿技术可直接优化公司功率模块的PCB布局设计与驱动电路，降低开关过程中的电压尖峰与电流应力，从而提升逆变器与PCS在极端工况下的可靠性与寿命。建议研发团队在下一代高功率密度SiC模块设计中引入该补偿策略，以优化并联均流效果。