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稳态下氮化镓晶体管动态导通电阻的精确测量
Accurate Measurement of Dynamic ON-Resistance in GaN Transistors at Steady-State
| 作者 | Hongkeng Zhu · Elison Matioli |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 高电子迁移率晶体管 动态导通电阻 电力电子 测量精度 导通损耗 |
语言:
中文摘要
准确表征动态导通电阻（Ron）的退化对于预测氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管的导通损耗至关重要。然而，文献中基于脉冲测量所得的动态Ron结果往往不一致。本文揭示了测试时间不足是导致测量偏差的主要原因，并提出了改进的测量方法以实现更精确的评估。
English Abstract
Accurate characterization of the dynamic on-resistance (R${}_\textsc{on}$) degradation is important to predict conduction losses for gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors. However, even for the same device, many inconsistent results of dynamic R${}_\textsc{on}$ based on pulsed measurements are reported in the literature. This letter reveals that insufficient test time leads to s...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用潜力巨大。动态导通电阻（Ron）的准确测量直接影响产品效率评估与热设计可靠性。本文提出的精确测量方法有助于研发团队优化GaN驱动电路设计，减少因测试偏差导致的损耗计算误差，从而提升户用逆变器及微型逆变器在全工况下的转换效率与长期运行稳定性，为下一代高频、高功率密度产品提供技术支撑。