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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 ★ 5.0

一种用于22 kW AC-DC变换器的PCB嵌入式1.2 kV SiC MOSFET半桥封装

A PCB-Embedded 1.2 kV SiC MOSFET Half-Bridge Package for a 22 kW AC–DC Converter

作者 Jack S. Knoll · Gibong Son · Christina DiMarino · Qiang Li · Hannes Stahr · Mike Morianz
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2022年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET PCB嵌入式 半桥封装 功率密度 回路电感 双面散热 栅极驱动器
语言:

中文摘要

本文提出了一种双面散热的PCB嵌入式SiC MOSFET半桥封装设计,具有低回路电感和集成栅极驱动器。通过AT&S专利技术将1.2 kV SiC MOSFET芯片嵌入PCB,实现了高效的芯片散热与电气连接,显著提升了功率密度与开关性能。

English Abstract

This article presents the design and analysis of a double-side-cooled printed circuit board (PCB) embedded silicon carbide (SiC) MOSFET half-bridge package with low loop inductances and an integrated gate driver. The 1.2 kV SiC MOSFET dies used in the half-bridge package are embedded in the PCB using AT&S's patented technique. The dies are cooled and electrically connected to traces in the PCB thr...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心业务具有极高的参考价值。首先,在组串式光伏逆变器和PowerStack储能变流器(PCS)中,功率密度是提升竞争力的关键,PCB嵌入式封装能有效降低寄生电感,助力SiC器件在高频下实现更低损耗。其次,该封装的双面散热设计可显著改善模块的热管理,有助于提升产品在极端环境下的可靠性。建议研发团队关注该嵌入式技术在下一代高功率密度逆变器及车载充电系统中的应用潜力,通过优化功率回路布局,进一步减小整机体积并提升转换效率。