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基于电致发光效应的SiC MOSFET结温与电流同步提取方法

Online Junction Temperature and Current Simultaneous Extraction for SiC MOSFETs With Electroluminescence Effect

作者 Haoze Luo · Junjie Mao · Chengmin Li · Francesco Iannuzzo · Wuhua Li · Xiangning He
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2022年1月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET 结温 漏极电流 电致发光 在线监测 电力电子 体二极管
语言:

中文摘要

本文提出了一种基于SiC MOSFET体二极管电致发光机理的结温与电流同步提取方法。通过观测发射光谱中的两个特征峰,证明了可以同时测量结温和漏极电流。该方法通过解耦两者关系,为功率器件的在线监测提供了新思路。

English Abstract

In this letter, a junction-temperature and current extraction method is presented based on the electroluminescence mechanism of the SiC mosfet body diode. Starting from the observation of two characteristic peaks in the emitted light spectrum, we proved that the junction temperature and the drain current can be simultaneously measured. This novel method consists of decoupling the relationship betw...
S

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC MOSFET的应用日益广泛。该方法无需额外传感器,即可实现器件结温与电流的实时精准监测,能够显著提升逆变器与PCS系统的可靠性评估精度,优化热管理策略,并为故障预警提供数据支撑。建议研发团队关注该技术在功率模块封装集成中的可行性,以提升产品全生命周期的运维智能化水平。