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一种具有改进回滞特性的高压应用4H-SiC MOSFET静电放电保护装置
A 4H-SiC MOSFET-Based ESD Protection With Improved Snapback Characteristics for High-Voltage Applications
| 作者 | Kyoung-Il Do · Jong-Il Won · Yong-Seo Koo |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 4H-SiC MOSFET ESD保护 回滞特性 宽禁带材料 半导体可靠性 高压应用 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于分段拓扑的n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）的新型静电放电（ESD）保护装置。研究利用了4H-SiC作为宽禁带半导体（3.3 eV）的材料特性，旨在提升高压应用场景下的半导体器件可靠性，并优化了ESD保护装置的回滞特性。
English Abstract
A novel electrostatic discharge (ESD) protection device based on an n-type metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (NMOSFET) with segmented topology was proposed and investigated, considering the material characteristics of 4H-SiC, which is a wide-bandgap material (3.3 eV). ESD phenomena are important in terms of semiconductor reliability, and the benefits of using 4H-SiC as a material c...
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SunView 深度解读
该研究针对宽禁带半导体SiC在高压功率器件中的ESD保护问题，对阳光电源的核心产品线具有重要参考价值。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及高压充电桩中大规模应用SiC MOSFET，器件的静电防护与可靠性直接影响产品的现场故障率。该分段拓扑设计可提升功率模块在高压环境下的鲁棒性，建议研发团队在下一代高功率密度SiC模块选型及驱动电路设计中，重点评估该ESD保护结构的集成可行性，以进一步提升产品在复杂电网环境下的可靠性。