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储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

新型纳米结构Ba2Ni(BO3)2的合成、结构表征、相稳定性及光学性质:面向电子应用的功能性正硼酸盐材料

Synthesis, structural characterization, phase stability, and optical properties of novel nanostructured Ba2Ni(BO3)2: toward functional orthoborates for electronic applications

Lahcen Boudad · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

本研究报道了新型正硼酸盐Ba2Ni(BO3)2作为潜在宽禁带材料的合成及其全面的表征。该化合物通过固相法成功制备为单相产物,结晶于菱方R\(\underline{3}\)m空间群,晶格参数精修值为a = 5.326(6) Å和c = 16.876(2) Å。傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析证实了预期的三角平面[BO3]3−基团以及八面体配位的Ni2+离子,其特征振动模式亦通过拉曼光谱结果得到验证。扫描电子显微镜显示材料具有致密的纳米结构形貌,由针状微晶组成。该材料表现出优异的热稳定性,在600...

解读: 该宽禁带正硼酸盐材料(3.95eV带隙)对阳光电源功率器件研发具有启发价值。其纳米结构形貌和高热稳定性(600°C以上)特性,可为ST系列储能变流器和SG逆变器中的SiC/GaN宽禁带半导体封装材料、高温绝缘层或紫外光传感器提供材料学参考。针状晶体的致密形态有助于提升器件散热性能,其宽带隙特性适用于...

储能系统技术 储能系统 PWM控制 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于H7电流源逆变器的最小化开关损耗PWM新方案

A New PWM Scheme for H7 Current Source Inverter with Minimal Switching

Ashish Kumar · Apurv Kumar Yadav · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

传统电流源逆变器(CSI)采用硅基反向阻断(RB)开关,存在导通损耗高、开关频率受限等问题。基于宽禁带材料(如GaN和SiC)的四象限(FQ)开关具有低导通损耗和反向耐压能力,适用于高效CSI。本文针对H7拓扑CSI,通过新增开关S7为直流链电流提供旁路,实现S1a-S6a的零电流关断。传统调制策略将零状态分为四段,导致频繁切换与高开关损耗。本文提出一种优化矢量排列的新调制方案,减少开关动作次数,降低损耗。通过PLECS仿真对比分析不同CSI拓扑(3ϕ, 400 V, 8 kW)下的损耗与效率,...

解读: 该H7电流源逆变器最小化开关损耗PWM方案对阳光电源储能与光伏产品线具有重要应用价值。针对ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器,该技术通过优化矢量排列减少开关动作次数,可显著降低SiC/GaN宽禁带器件的开关损耗,提升系统效率。零电流关断技术可减轻功率模块热应力,延长器件寿命。该方案在直流侧旁路开...