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GaN HEMT损耗分布、分析与测量技术综述
Review of Loss Distribution, Analysis, and Measurement Techniques for GaN HEMTs
| 作者 | Jacob Gareau · Ruoyu Hou · Ali Emadi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMTs 宽禁带器件 电力电子 开关损耗 损耗测量 效率 功率密度 |
语言:
中文摘要
近年来，电力电子系统追求更高效率与功率密度，以硅（Si）为基础的器件已接近材料极限。氮化镓（GaN）等宽禁带半导体因具备更快的开关速度，成为提升系统性能的关键。本文综述了GaN HEMT器件的损耗分布、分析方法及测量技术，为高性能电力电子变换器的设计提供了理论支撑。
English Abstract
In recent years, there has been a trend for improved performance in semiconductor switches, allowing power electronic systems to achieve higher efficiency and higher power density. This desired improvement has led to the adoption of wide-bandgap devices-based switches due to the fact that silicon (Si) has been reaching its material limit. Si carbide and gallium nitride (GaN) offer faster switching...
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SunView 深度解读
GaN器件是实现光伏逆变器和储能系统高功率密度的核心驱动力。对于阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品线，引入GaN技术可显著降低开关损耗，减小磁性元件体积，从而提升整体效率。建议研发团队关注文中提到的损耗测量技术，以优化高频化拓扑下的热管理设计。在PowerStack等储能产品中，虽然目前以SiC为主，但随着GaN功率等级提升，未来在辅助电源及小功率DC-DC模块中具有广阔的降本增效应用前景。