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静止空气中磁性元件的热特性研究
Thermal Characterization of Magnetic Components in Still Air
Bruno Bertoldi · Lucas Andrade Militão · Gean Jacques Maia de Sousa · Jader Riso Barbosa 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
准确测量磁性元件损耗及其温度行为对于设备表征和热模型验证至关重要。然而，在选择激励设备时，需考虑电压与电流之间显著的相位差，以及高频电量测量带来的实际挑战。
解读: 磁性元件（电感、变压器）是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中的核心功率变换部件。随着功率密度不断提升，磁性元件的热设计直接决定了设备的可靠性与效率。本文提出的热特性表征方法与高频损耗测量技术，可直接应用于阳光电源研发中心对磁性元件的精细化建模，优化散热结构设计，从而提升...
高频变压器损耗测量与建模：一种直流损耗法
High-Frequency Transformer Loss Measurement and Modeling: A DC Loss Method
Deqiu Yang · Binhao Wang · Shuai Shao · Junming Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
高频变压器是电力电子变换器的核心部件，但其损耗建模仍具挑战。本文提出了一种用于双绕组高频变压器损耗建模的新型直流（DC）损耗测量方法。通过多次测试，该方法能够测量变压器在不同工作条件下的等效电阻，从而实现对损耗的精确建模。
解读: 高频变压器是阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）及DC-DC变换模块中的核心磁性元件。该研究提出的直流损耗测量方法，能够有效提升变压器损耗建模的精度，对于优化逆变器和PCS的效率设计、提升功率密度具有重要意义。建议研发团队将其应用于高频磁性元件的标...
GaN HEMT损耗分布、分析与测量技术综述
Review of Loss Distribution, Analysis, and Measurement Techniques for GaN HEMTs
Jacob Gareau · Ruoyu Hou · Ali Emadi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月
近年来，电力电子系统追求更高效率与功率密度，以硅（Si）为基础的器件已接近材料极限。氮化镓（GaN）等宽禁带半导体因具备更快的开关速度，成为提升系统性能的关键。本文综述了GaN HEMT器件的损耗分布、分析方法及测量技术，为高性能电力电子变换器的设计提供了理论支撑。
解读: GaN器件是实现光伏逆变器和储能系统高功率密度的核心驱动力。对于阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品线，引入GaN技术可显著降低开关损耗，减小磁性元件体积，从而提升整体效率。建议研发团队关注文中提到的损耗测量技术，以优化高频化拓扑下的热管理设计。在PowerStack等储能产品中，虽然目前以S...