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一种用于SiC MOSFET中BTI表征的非侵入式新技术
A Novel Non-Intrusive Technique for BTI Characterization in SiC mosfets
| 作者 | Jose Angel Ortiz Gonzalez · Olayiwola Alatise |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFETs 偏置温度不稳定性 (BTI) 阈值电压漂移 氧化层陷阱 可靠性 功率器件 栅极偏置应力 |
语言:
中文摘要
偏置温度不稳定性（BTI）导致的阈值电压（VTH）漂移是SiC MOSFET面临的关键可靠性问题，主要源于SiC/SiO2界面处的氧化层陷阱。相比硅器件，SiC器件的带隙偏移较小且界面陷阱较多，使得该问题更为突出。本文提出了一种非侵入式表征技术，用于在功率器件资格认证前的栅极偏置应力测试中评估其可靠性。
English Abstract
Threshold voltage (VTH) shift due to bias temperature instability (BTI) is a well-known problem in SiC mosfets that occurs due to oxide traps in the SiC/SiO2 gate interface. The reduced band offsets and increased interface/fixed oxide traps in SiC mosfets makes this a more critical problem compared to silicon. Before qualification, power devices are subjected to gate bias stress tests after which ...
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SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC MOSFET已成为核心功率器件。BTI效应直接影响器件的长期可靠性与寿命预测。该非侵入式表征技术能够更精准地评估SiC器件在极端工况下的阈值稳定性，有助于阳光电源在研发阶段筛选高可靠性器件，优化逆变器及PCS的驱动电路设计，从而降低现场失效风险，提升iSolarCloud智能运维平台对功率模块健康状态的监测精度。