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无电流崩塌且具有快速反向恢复性能的垂直结构GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
Current-Collapse-Free and Fast Reverse Recovery Performance in Vertical GaN-on-GaN Schottky Barrier Diode
| 作者 | Shaowen Han · Shu Yang · Rui Li · Xinke Wu · Kuang Sheng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 垂直结构 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管 动态导通电阻 反向恢复 功率器件 品质因数 |
语言:
中文摘要
随着自支撑GaN衬底的出现，垂直结构GaN-on-GaN功率器件得到快速发展。本文通过双脉冲测试，评估了新型垂直结构GaN-on-GaN肖特基势垒二极管（SBD）的动态导通电阻（RON）和反向恢复性能。研究表明，该器件具有极快的反向恢复特性，且RON·Qrr品质因数较低，展现了在高效功率转换应用中的巨大潜力。
English Abstract
The recent emergence of free-standing GaN substrate has enabled the development of vertical GaN-on-GaN power devices. This letter presents the dynamic ON-resistance (RON) and reverse recovery performance of a novel vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode (SBD) characterized by a double pulse tester. The vertical GaN-on-GaN SBD exhibits fast reverse recovery with a low RON·Qrr figure-of-merit. F...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的下一代高功率密度产品具有重要意义。垂直结构GaN器件相比横向GaN，在耐压能力和散热性能上更具优势，非常契合阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能PCS（如PowerStack系列）中对高频化、高效率的需求。建议研发团队关注该器件在提升开关频率、减小磁性元件体积方面的应用潜力，特别是在追求极致功率密度的微型逆变器或小型化充电桩产品中，可作为替代传统SiC器件的潜在高性能方案，以进一步降低系统损耗。