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真空间隙微带谐振器的制备与表征
Fabrication and characterization of vacuum-gap microstrip resonators
Christian Schlager · Romain Albert · Silent Waves · Gerhard Kirchmair · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
在行波参量放大器（TWPAs）中，为补偿非线性元件（如约瑟夫森结或高动能电感材料）引入的额外电感并实现50 Ω阻抗匹配，需采用低损耗电容器。本文报道了一种真空间隙微带线的制备工艺，其接地层在无介质支撑的情况下悬置于中心导体上方。该结构不仅可实现高电容传输线，还可构建空气桥和紧凑型平行板电容器。通过在稀释制冷环境中测试分布式铝和颗粒铝谐振器，验证了工艺性能，测得的品质因数与当前先进TWPAs工艺相当。同时研究了品质因数随输入功率和温度的变化特性。
解读: 该真空间隙微带谐振器技术虽源于量子计算领域，但其低损耗高品质因数电容结构对阳光电源功率器件设计具有启发意义。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器的高频功率变换电路中，谐振电容的损耗直接影响系统效率。该研究展示的无介质悬浮结构可降低寄生电容和介质损耗，其50Ω阻抗匹配设计思路可应用于SiC/GaN器件...
无铅Ba0.85Sr0.15TiO3基薄膜电容器的溶胶-凝胶法制备及其介电与储能性能增强研究
Sol–gel synthesis and characterization of lead-free Ba0.85Sr0.15TiO3-based thin-film capacitors with enhanced dielectric and energy storage performance
Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
采用旋涂技术在铂化硅（Pt/SiO2/Si）衬底上成功制备了厚度范围为50至600 nm的无铅Ba0.85Sr0.15TiO3（BST）薄膜，并构建了Au/BST/Pt结构的薄膜电容器。X射线衍射和扫描电子显微镜分析表明，BST薄膜无裂纹、致密，具有多晶四方钙钛矿结构。在室温下系统研究了BST薄膜厚度依赖的介电性能、漏电流、铁电性能及储能特性。随着BST薄膜厚度从50 nm增加到600 nm，薄膜的介电常数随之从约40升高至320以上，该现象归因于薄膜与电极之间的界面死层效应。相比之下，漏电流密...
解读: 该无铅BST薄膜电容技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。其高介电常数(320)和能量密度(7 J/cm³)特性可优化ST系列PCS的直流母线电容设计,减小体积并提升功率密度。70%的储能效率和低漏电流特性适用于PowerTitan储能系统的高频开关应用。薄膜电容的快速充放电能力可改善SiC/Ga...
通过多外延生长与沟道注入技术实现高性能0.17-mΩ⋅cm²/800-V 4H-SiC超级结肖特基二极管
Demonstration of High-Performance 0.17-mΩ⋅cm²/800-V 4H-SiC Super-Junction Schottky Diodes via Multiepitaxial Growth and Channeled Implantation Techniques
Fengyu Du · Haobo Kang · Hao Yuan · Boyi Bai 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本文展示了利用沟道注入和双外延生长技术制备高性能 4H - 碳化硅（SiC）超结（SJ）肖特基二极管的过程。这些二极管具有厚度为<inline - formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex - math notation="LaTeX">$4.5 - \mu $ </tex - math></inline - formula>m 的...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项4H-SiC超结肖特基二极管技术具有重要的战略价值。该器件实现了0.17 mΩ·cm²的超低导通电阻和800V耐压等级，其巴利加品质因数(BFOM)达到3.76 GW/cm²，突破了传统4H-SiC材料的一维理论极限，这对我司光伏逆变器和储能变流器的功率密度提升具有直接...