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一种基于双端口S参数测量提取SiC功率MOSFET寄生电感的新表征技术
A New Characterization Technique for Extracting Parasitic Inductances of SiC Power MOSFETs in Discrete and Module Packages Based on Two-Port S-Parameters Measurement
| 作者 | Tianjiao Liu · Thomas T. Y. Wong · Z. John Shen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC功率MOSFET 寄生电感 S参数 功率模块 开关性能 电磁干扰 |
语言:
中文摘要
SiC功率MOSFET的寄生电感严重影响开关性能，导致振荡、损耗及电磁干扰。本文提出了一种基于双端口S参数测量的新技术，可精确表征分立器件及功率模块中的寄生电感，为优化电力电子系统设计提供关键参数支持。
English Abstract
The parasitic inductances of silicon carbide (SiC) power mosfets have a major influence on their operation and circuit performance. They incur negative effects such as switching oscillations, power losses, and electromagnetic interference noise. This paper introduces a new technique to accurately characterize the parasitic inductances of SiC power mosfets in both discrete packages and power module...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在PowerTitan储能系统及组串式光伏逆变器中，SiC器件的广泛应用对开关速度和损耗控制提出了更高要求。通过精确提取寄生电感，研发团队可优化PCB布局与驱动电路设计，有效抑制开关振荡，提升系统效率并降低EMI风险。建议将此表征技术引入功率模块选型测试及逆变器高频化设计流程，以进一步提升产品功率密度与可靠性。