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一种改进的碳化硅MOSFET紧凑模型及其在精确电路仿真中的应用
An Improved Compact Model for a Silicon-Carbide MOSFET and Its Application to Accurate Circuit Simulation
| 作者 | Yasushige Mukunoki · Kentaro Konno · Tsubasa Matsuo · Takeshi Horiguchi · Akinori Nishizawa · Masaki Kuzumoto · Makoto Hagiwara · Hirofumi Akagi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 紧凑模型 输出特性 内部电容 电路仿真 瞬态行为 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种改进的离散碳化硅（SiC）MOSFET紧凑模型。该模型在原有基础上，引入了新的输出特性行为模型及内部电容非线性模型。仿真结果表明，改进后的模型在静态特性及瞬态行为方面均比旧模型更接近实测数据，显著提升了电路仿真的准确性。
English Abstract
This paper presents an improved compact model for a discrete silicon-carbide (SiC) MOSFET. This compact model based on the previous model features a new behavioral model of output characteristics and new nonlinear models of internal capacitors. Simulation with the improved compact model is in better agreement with measurement than that with the previous compact model, as well as transient behavior...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC器件，高精度的器件模型对于提升功率密度和效率至关重要。该改进模型能更准确地模拟SiC MOSFET在高速开关过程中的非线性电容特性，有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计，减少开关损耗，并提升电磁兼容性（EMC）设计水平。建议研发团队将其集成至iSolarCloud配套的仿真工具链中，以缩短新一代高频高效功率变换器的开发周期，并提升产品在极端工况下的可靠性评估精度。