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光伏发电技术 ★ 5.0

太阳能光伏供电的低电流纹波容错多端口变换器设计与表征

Design and Characterization of Solar PV Fed Fault Tolerant Multiport Converter With Reduced Current Ripple

Md. Modassir Masoom · Mayank Kumar · Narendra Kumar · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年2月

本文提出了一种适用于三轮/四轮轻型电动汽车的太阳能光伏集成非隔离式四端口(一个输入端口和三个输出端口)电力电子接口。为实现持续运行和可靠性,所提出的多端口转换器具备容错能力并改进了性能参数。与传统转换器不同,所提出的四端口容错直流 - 直流(FPFTDC)转换器具有多种输入/输出特性,并具备多项优势。该电路的交错特性可降低电池充电电流纹波,减小太阳能光伏侧电容器的尺寸,同时提高电流承载能力。文中讨论了降低纹波电流对电池充放电及性能的影响。为实现最大光伏功率捕获和可靠运行,开发了具有容错能力和最大...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇论文提出的光伏集成四端口容错转换器技术具有重要的战略参考价值,特别是在我们布局的光储充一体化和新能源车载电源系统领域。 该技术的核心创新在于通过交错并联架构实现了多端口能量管理,这与阳光电源当前推进的"光储充放"一体化解决方案高度契合。论文中提出的容错设计理念可直接应...

储能系统技术 储能系统 电池管理系统BMS ★ 5.0

评估并联异质电池串等效电路模型的通用性与有效性

Evaluating the Generality and Effectiveness of Equivalent Circuit Models for Battery Strings With Heterogeneous Cells Connected in Parallel

Xiaogang Wu · Xinhao Du · Ziyou Song · IEEE Transactions on Industrial Informatics · 2025年4月

等效电路模型(ECM)因其在简易性和准确性之间取得了良好平衡,而被广泛应用于锂离子电池管理系统中。然而,当单个电池存在异质性时,ECM能否准确模拟并联电池单元的动态特性仍不明确。为解决这一问题,本文提出了一种近似参数等效电路模型(AECM),用于在频域中表征容量和内阻不一致的并联电池的输入 - 输出特性。此外,还建立了并联单个电池的一阶等效电路模型用于对比。通过计算这两种模型的传递函数,分析了随着电池单元在容量和内阻等参数上的不一致性增加,模型误差是如何变化的。最后,利用电化学阻抗谱验证了AEC...

解读: 从阳光电源储能系统业务视角来看,这项针对异质并联电池串等效电路模型的研究具有重要的工程应用价值。在大规模储能系统中,电池组内部单体差异性是影响系统性能和寿命的关键因素,而精确的电池模型是实现高效电池管理系统(BMS)的基础。 该研究提出的近似参数等效电路模型(AECM)为解决并联异质电池建模难题提...

储能系统技术 储能变流器PCS ★ 5.0

面向高功率微波源的Fe-β-Ga2O3光电导半导体器件输出特性测试

Test on the Output Characteristics of Fe-β-Ga2O3 Photoconductive Semiconductor Device Toward High-Power Microwave Sources

Tianjiao Shen · Langning Wang · Ting He · Li'Ao Yang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月

我们聚焦于用于高功率微波源应用的 Fe - β - Ga₂O₃ 光电导半导体器件(PCSD)。我们测试并分析了该器件的输出特性,包括其暗态电阻(10¹³ Ω)、暗态耐压(31.6 kV)、光电导输出和高频响应。当受到半高宽(FWHM)均为 10 ns 的 532 nm 和 1064 nm 单脉冲激光照射时,Fe - β - Ga₂O₃ 光电导半导体器件以线性模式工作。在 532 nm 激光照射下的峰值电压输出是 1064 nm 激光照射下的 18 倍。然而,其光响应度相对较低,最高值仅达到 10...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项Fe-β-Ga2O3光导半导体器件研究虽然主要面向高功率微波源应用,但其核心技术特性对我们在光伏逆变器和储能系统中的功率半导体器件应用具有一定参考价值。 该器件展现出的超高暗态电阻(10¹³Ω)和31.6kV耐压能力,反映了β-Ga2O3材料在宽禁带半导体领域的潜力。...