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功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

集成n型和p型铁电有机晶体管的互补式存内逻辑反相器

Complementary logic-in-memory inverters integrating n-channel and p-channel ferroelectric organic transistors

Haitian Wei · Yijie Lin · Zhenxiang Yan · Wenfa Xie 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于n型和p型铁电有机薄膜晶体管的互补式存内逻辑反相器。通过在同一器件中集成具有稳定极化特性的n沟道与p沟道铁电有机晶体管,实现了非易失性存储与逻辑运算功能的协同集成。该反相器展现出良好的开关特性、清晰的逻辑输出以及低功耗操作能力。研究为实现高性能有机存内计算电路提供了可行路径,并推动了柔性、可穿戴电子器件中智能信息处理技术的发展。

解读: 该铁电有机晶体管存内逻辑技术对阳光电源智能控制系统有重要启发价值。其非易失性存储与逻辑运算的协同集成特性,可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的控制器升级,实现更快速的MPPT追踪和系统响应。特别是在PowerTitan大型储能系统中,该技术有望优化电力调度策略的本地计算效率,降低控制延时...

储能系统技术 ★ 5.0

氧等离子体脉冲时间对原子层沉积ZrO2反铁电储能电容器的影响

Impact of oxygen plasma pulse time on atomic-layer-deposited ZrO2 antiferroelectric energy storage capacitors

Conglin Zhang · Binbin Luo · Chenyan Wang · Ze Shang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

研究了氧等离子体脉冲时间对原子层沉积ZrO2反铁电薄膜及其电容器性能的影响。通过调节氧等离子体脉冲时长,优化了ZrO2薄膜的结晶特性、相纯度及界面质量,显著提升了器件的反铁电性与能量存储密度。结果表明,适当的脉冲时间可有效抑制氧空位缺陷,增强薄膜均匀性,从而提高击穿场强和极化差值。该工作为高性能反铁电电容器的可控沉积提供了关键工艺依据。

解读: 该ZrO2反铁电薄膜电容技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。通过优化氧等离子体脉冲工艺提升的高能量密度、高击穿场强特性,可直接应用于ST系列储能变流器和PowerTitan系统的直流母线支撑电容、滤波电容模块,替代传统电解电容,实现更高功率密度和更长寿命。反铁电材料的快速充放电特性与低损耗优势,...

功率器件技术 宽禁带半导体 ★ 4.0

p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜在p-n异质结二极管中的光电特性及应用

Optoelectronic properties and application of _p_-type ultrawide bandgap Zn0.7Ni0.3O1+δ thin films in p–n heterojunction diodes

Zhi Yue Xu · Xian Sheng Wang · Zhi Xiang Wei · Gui Shan Liu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜的制备及其在p-n异质结二极管中的应用。通过调控氧含量,实现了稳定的p型导电性,薄膜表现出高透光率和宽光学带隙。基于该薄膜构建的p-n异质结二极管展现出良好的整流特性与室温下的近紫外发光,表明其在透明电子器件和深紫外光电器件中具有潜在应用价值。

解读: 该p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜研究对阳光电源的功率器件技术发展具有重要参考价值。其优异的光电特性和宽带隙特征可应用于SiC/GaN功率模块的优化设计,特别是在高温、高频应用场景中。这项技术可用于提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度与效率。对于电动汽车充电桩产品线,该材...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

增强型GaN p型场效应晶体管中的极化增强电导

Polarization-enhanced conductivity in enhancement-mode GaN p-FET

Hengyuan Qi · Teng Li · Jingjing Yu · Jialin Duan 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文报道了一种通过极化工程实现高电导率的增强型GaN p型场效应晶体管。利用AlN/GaN超晶格中的自发和压电极化效应,显著增强了空穴载流子浓度与迁移特性,从而在常关型器件中实现了优异的导通性能。实验结果表明,极化诱导的二维空穴气有效调制了p型沟道电导,提升了器件的电流开关比和阈值电压稳定性。该策略为高性能GaN基互补电路的发展提供了可行路径。

解读: 该GaN p-FET极化增强技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。通过AlN/GaN超晶格结构提升的载流子特性,可显著改善SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的导通性能,有助于降低开关损耗。特别是在1500V高压系统中,该技术可提升GaN器件的可靠性和效率。同时,增强型p-FET的...

储能系统技术 电池管理系统BMS ★ 5.0

基于增量容量曲线与S变换的电动汽车电池组健康状态估计

State-of-health estimation for EV battery packs via incremental capacity curves and S-transform

Siyi Tao · Jiangong Zhu · Yuan Lic · Siyang Chen 等10人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.397

准确估计电动汽车(EV)中电池的健康状态(SOH)对于缓解用户的续航焦虑具有重要作用。然而,云端电池管理系统(BMS)数据质量欠佳,加之电池正极材料的多样性,为开发适用于实际EV应用的通用SOH估计方法带来了显著挑战。本研究提出了一种基于充电过程的可推广特征提取框架。该方法从增量容量(IC)曲线中提取时域特征,并利用S变换提取频域特征,同时引入了电池间不一致性指标。为评估所提取特征的鲁棒性,本文采用实验室数据进行了验证。此外,通过针对不同容量和正极材料电池的实验,分析了温度对电池容量及所提取特征...

解读: 该研究提出的电池SOH估计方法对阳光电源储能系统(PowerTitan/ST系列PCS)及充电桩产品具有重要价值。通过增量容量曲线和S变换的多域特征提取,结合GRU-LightGBM融合模型,可显著提升BMS电池健康状态评估精度(MAPE<1.99%)。该技术框架可集成至iSolarCloud平台,...

储能系统技术 储能系统 构网型GFM 多物理场耦合 ★ 5.0

风场中构网型电池储能系统的功率解耦控制

Power Decoupling Control for Grid-Forming Battery Energy Storage System in Wind Farm

Ruixu Liu · Zhen Wang · Yuqiang Wang · Yu Shan 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年8月

构网型(GFM)电池储能系统(BESS)有助于提升风电系统的动态性能与鲁棒性,但其有功与无功功率间的固有耦合效应会降低系统可控性,影响功率精确调节。本文系统研究了风场中GFM-BESS的功率耦合问题,提出基于反馈线性化的功率解耦控制策略。首先建立暂态功率响应模型以刻画耦合特性,进而设计新型解耦控制方法调节GFM电压矢量参考值。随后构建系统小信号模型,从频域角度分析解耦动态特性并验证所提策略的有效性。最后通过MATLAB/Simulink及硬件在环时域仿真验证了该方案的可行性与优越性。

解读: 该功率解耦控制技术对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。研究针对构网型GFM控制中有功-无功耦合导致的功率调节精度下降问题,提出基于反馈线性化的解耦策略,可直接应用于阳光电源风储混合系统中的GFM储能变流器。该技术能提升ST储能系统在弱电网及风电场景下的功率...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

采用有源钝化技术抑制浮动Si衬底诱导背栅效应的900-V p-GaN栅HEMT

900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect

Hao Chang · Junjie Yang · Jingjing Yu · Jiawei Cui · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用有源钝化技术的900-V p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT),有效抑制了由浮动Si衬底引起的背栅效应。通过引入深沟槽隔离与介质填充的有源钝化结构,显著降低了漏极对衬底的电场耦合,从而消除背栅导致的阈值电压不稳定性与动态导通电阻退化。器件在高压关断状态下表现出优异的可靠性与稳定性,同时保持良好的开关性能。该设计为高压p-GaN栅HEMT在功率集成应用中的性能优化提供了有效解决方案。

解读: 该900-V p-GaN栅HEMT的有源钝化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过深沟槽隔离抑制背栅效应,解决了GaN器件阈值电压漂移和动态导通电阻退化问题,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频开关电路。900V耐压等级匹配1500V光伏系统和储能系统的母线电压需求,有源钝...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

一种新型液态空气与抽热式组合储能系统的能量、㶲及经济性分析

Energy, exergy, and economic analyses of a novel liquid air and pumped thermal combined energy storage system

Junxian Li · Zhikang Wang · Yihong Li · Guqiang Wei 等9人 · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.330

摘要 液态空气储能(LAES)和抽热式储能(PTES)不受地理条件限制且环境友好,具有大规模储能的巨大潜力。LAES与PTES之间的一个关键共性在于两者均需要冷能储存单元,这些单元通常采用易燃易爆的液相烷烃介质或效率较低的固相岩石介质,从而在安全性、环境保护以及能源效率方面带来挑战。本研究提出了一种将LAES与PTES集成的新型储能系统(PT-LAES),有效消除了各自独立冷能储存单元的需求。在储能阶段,PTES中气体膨胀产生的冷能用于LAES的空气液化过程;而在释能阶段,LAES中液态空气所携...

解读: 该PT-LAES混合储能技术对阳光电源PowerTitan液冷储能系统具有重要启示。其通过冷能互补消除独立冷储单元的创新思路,可借鉴于ST系列PCS的热管理优化,将充放电过程产生的冷热能梯级利用,提升系统能量密度至167.53kWh/m³。56.57%的往返效率和7年回收期验证了技术经济性,为阳光电...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

考虑频率安全约束的极端事件触发型城市输电系统孤岛控制

Extreme Event-Triggered Islanding Control of Urban Sub-Transmission Systems Considering Frequency Security Constraints

Jiaxu Li · Yin Xu · Ying Wang · Wei Wei 等5人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年3月

城市电力系统具有高密度关键负荷的特点,亟需提升其韧性。本文提出一种面向极端事件下城市输电系统的孤岛控制方法,以确保系统平滑过渡至孤岛运行。通过构建计及限幅、开关动作和时滞的改进系统频率响应模型,模拟大扰动下的动态频率响应,并将含非线性微分代数方程的频率约束经离散化与线性化转化为线性形式,使优化问题转化为混合整数线性规划。特别研究了离散化方法的选择,并设计两阶段求解策略,通过预设部分整数变量加速大规模问题求解。仿真结果表明,该方法可有效保障孤岛过程中的暂态频率安全与孤岛运行期间节点电压的合理性,且...

解读: 该极端事件孤岛控制技术对阳光电源PowerTitan储能系统和ST系列储能变流器具有重要应用价值。研究提出的改进系统频率响应模型(含限幅、时滞特性)可直接应用于储能系统的构网型GFM控制策略优化,提升极端工况下的频率支撑能力。两阶段混合整数线性规划求解方法可集成至iSolarCloud平台,实现城市...

电动汽车驱动 DC-DC变换器 多物理场耦合 ★ 4.0

具有零输入电流纹波和扩展ZVS范围的Y源DC-DC变换器

A Y-Source DC–DC Converter With Zero Input Current Ripple and Extended ZVS Range

Enpeng Yan · Panbao Wang · Hao Wang · Wei Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月

本文提出了一种具有零输入电流纹波和扩展零电压开关(ZVS)范围的Y源DC-DC变换器(YSC)。通过阻断电容隔离三端耦合电感(TTCI)中的直流电流,确保磁芯无直流偏置,同时实现开关管和二极管的电压钳位,抑制电压振荡。所有开关均工作在ZVS条件下,有效降低开关损耗与电磁干扰。新增辅助支路可消除输入电流纹波,并减小主开关导通时输入电感电流,从而拓展ZVS实现范围。文中深入分析了工作模态,建立了TTCI的等效模型以研究励磁电感对电压增益的影响,并探讨了全功率范围内实现ZVS的条件。最后,通过一台32...

解读: 该Y源DC-DC变换器的零输入电流纹波和扩展ZVS技术对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在ST储能变流器中,零输入电流纹波可显著降低电池侧电流应力,延长电池寿命,三端耦合电感的无直流偏置设计可减小磁性元件体积;在车载OBC充电机中,全功率范围ZVS实现可提升轻载效率,降低EMI,满足车规级电磁兼...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

一种具有增强功率和线性性能的AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN梯度沟道HEMT

An AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN graded channel HEMT with enhanced power and linearity performance

Xiang Du · Can Gong · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN梯度沟道结构的高电子迁移率晶体管(HEMT),旨在提升器件的功率与线性性能。通过在沟道层引入Al组分渐变的Al_x_Ga1-_x_N缓冲结构,并结合超薄AlN插入层,有效调控了二维电子气分布,增强了载流子输运特性,同时降低了短沟道效应。实验结果表明,该器件在保持高开关比的同时,显著提高了击穿电压、最大电流密度及跨导峰值。此外,线性跨导和栅极电容特性的改善有效提升了器件的线性度与高频稳定性。该梯度沟道设计为高性能射频与功率放大器应用提供了...

解读: 该梯度沟道GaN HEMT技术对阳光电源的功率变换产品具有重要应用价值。通过AlN/AlGaN梯度结构提升的击穿电压和电流密度特性,可显著提高SG系列逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。改善的线性度和高频特性有助于优化车载OBC和充电桩的EMI性能。该器件在高压大功率应用场景下的优异开关特性,可支...

储能系统技术 ★ 5.0

基于储能边界分析的大规模风电场故障后最优协调电压控制

Optimal Coordinated Post-Event Voltage Control With Energy Storage Boundary Analysis for Large-Scale Wind Farms

Juan Wei · Lai Wei · Sheng Huang · Bozhong Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年12月

本文提出了一种结合储能边界分析的最优协调故障后电压控制(OPVC)方案,旨在增强大型风电场(WFs)的故障穿越(FRT)能力,同时降低故障期间的风电损失。通过考虑变流器电流的可行区域,对风力发电机(WT)的动能存储(KES)潜力进行了量化。建立了风电场的分层模型预测控制(MPC)模型,以实现最优的故障穿越性能。在上级控制中,考虑功率指令确定最优功率参考值,并将其作为下级控制器的输入,可使风力发电机的端电压保持在电网规范规定的可行范围内。在下级控制中,对风力发电机的 d 轴和 q 轴电流参考值进行...

解读: 该故障后协调电压控制技术对阳光电源ST系列储能变流器与PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。研究提出的储能SOC边界约束策略可直接应用于风光储混合电站的ESS集成方案,优化储能系统在电网故障时的动态响应。通过协调控制算法,可提升SG系列光伏逆变器与储能系统的协同低电压穿越能力,加快故障后...

储能系统技术 储能系统 LLC谐振 ★ 5.0

一种用于模块化级联LLC变换器的在线多电容监测方案

An Online Multi-capacitors Monitoring Scheme for the Modular Cascaded LLC Converter

Zhikang Shuai · Quanjie Wang · Zhang Hong · Wei Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

模块化级联LLC变换器广泛应用于具有宽电压增益的直流系统高功率场合,其电压耐受能力不受现有器件限制。然而,级联结构导致电容数量增多,一旦单个电容失效可能增加系统整体故障风险。传统监测方法需复杂电路,难以适用。本文提出一种仅基于一次瞬态大信号轨迹的在线多电容监测方法,适用于输入串联输出并联型LLC级联变换器。该方法无需额外传感器,利用现有检测装置同步提取输入、谐振及输出电容参数,不影响变换器正常运行。实验结果验证了该方法在LLC变换器平台上的有效性和准确性。

解读: 该在线多电容监测技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。模块化级联LLC拓扑在储能系统的DC-DC变换环节可实现宽电压范围适配和高功率密度,但多电容失效风险制约系统可靠性。该方案无需额外传感器,仅利用单次瞬态响应即可同步提取输入、谐振及输出电容参数,可直接...

电动汽车驱动 PWM控制 ★ 5.0

变频移相调制与软开关算法用于高频隔离型矩阵式逆变器

Variable Frequency Phase Shift Modulation and Soft Switching Algorithm for High Frequency Isolated Matrix-Type Inverter

Panbao Wang · Dongxin Guo · Zehua Zhang · Wei Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月

针对单级单相高频隔离型矩阵式逆变器(HFIMI)在常规控制下电感峰值电流过高的问题,提出一种无需额外辅助电路的变频移相(VFPS)调制策略。该单级功率变换结构由直流侧全桥逆变器和交流侧矩阵变换器(MC)组成,结合扩展移相、脉宽调制与变频调制形成混合控制策略,实现线性功率调节并简化控制器设计。MC采用高低频交错控制以降低高频导通损耗。所提VFPS策略下,设计了最小电感峰值电流的控制路径,使HFIMI在整个负载范围内实现全软开关运行,效率显著提升。实验搭建500W样机验证了该策略的有效性与可行性。

解读: 该变频移相调制与软开关技术对阳光电源车载OBC充电机和储能变流器具有重要应用价值。文章提出的单级高频隔离拓扑与VFPS策略可直接应用于:1)车载OBC产品线,通过全软开关运行降低高频导通损耗,提升功率密度,满足车载轻量化需求;2)ST系列储能变流器的DC-DC隔离级,优化电感峰值电流控制路径,降低磁...

电动汽车驱动 ★ 4.0

一种面向功率半导体器件的在线换流器级老化故障模式分离方法

An Online Converter-Level Wear-Out Failure Mode Separation Method for Power Semiconductor Devices

Yingzhou Peng · Kaichun Wang · Xing Wei · Zhikang Shuai 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年10月

引线键合功率半导体器件有两种主要的与封装相关的老化模式:键合线脱落和焊点退化。在运行的功率变换器中区分这两种老化模式非常重要,这样可以定位退化点,并分别监测老化过程。因此,这有助于实现功率半导体器件封装的优化设计以及开发更精确的寿命模型。本文重点研究功率器件运行时主要老化模式的分离问题。通过变换器级导通电压测量电路,获取功率器件输出电流 - 电压(I - V)特性曲线上的两个点,从而实现功率变换器中所有功率器件老化模式的分离。与传统方法相比,该方法是一种在线解决方案,从变换器层面来看适用于不同类...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项功率半导体器件在线失效模式分离技术具有重要的战略价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,IGBT、MOSFET等功率器件是决定系统可靠性和寿命的关键部件。该技术能够在设备运行状态下区分键合线脱落和焊层退化两种主要失效模式,这为我们实现预测性维护和精准故障定位提供了新...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 5.0

易于制造的类互补柔性反相器集成体异质结有机薄膜晶体管具有平衡的电子和空穴迁移率

Easily Manufactured Complementary-Like Flexible Inverters Integrating Bulk Heterojunction Organic Thin-Film Transistors With Well-Balanced Electron and Hole Mobilities

Haitian Wei · Zebing Fang · Yijie Lin · Zhenxiang Yan 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年9月

逻辑电路是从离散有机薄膜晶体管(OTFT)向集成电路(IC)发展的关键环节。开发低功耗且易于制造的逻辑电路是新兴柔性和可穿戴电子设备面临的一项重大挑战。在这项工作中,我们提出了一种通过简便制造工艺实现柔性逆变器的策略。该逆变器将两个相同的双极型OTFT串联集成,通过对栅极电介质和本体异质结沟道进行优化来提升其性能。采用聚苯乙烯(PS)/聚甲基丙烯酸甲酯双层栅极电介质,以兼顾OTFT的迁移率和工作电压。此外,提出并优化了由二元聚合物半导体组成的本体异质结沟道,以实现平衡的电子和空穴迁移率。优化后的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项有机薄膜晶体管(OTFT)柔性逆变器技术虽然聚焦于微电子集成电路领域,但其核心创新理念对我司产品线具有启发性参考价值。 该研究通过双层栅介质工程和体异质结沟道优化,实现了电子和空穴迁移率的高度平衡(5.41×10⁻²和6.08×10⁻² cm²/V·s),构建出增益高...

储能系统技术 储能系统 构网型GFM ★ 5.0

一种考虑电流限制算法的电网形成型VSC暂态稳定性增强方法

A Transient Stability-Enhanced Method for Grid-Forming VSCs Considering the Current Limiting Algorithm

Panbao Wang · Shenguang Li · Wei Wang · Dianguo Xu · IEEE Transactions on Industry Applications · 2024年9月

为解决电网电压跌落故障期间成网型电压源换流器(GFM-VSC)限流方法的稳定性问题,本文提出一种考虑限流算法的暂态稳定性增强方法(TSEM)。该方法通过自适应虚拟阻抗(AVI)限制稳态故障电流,并通过检测电网电压幅值来调整功率参考值,以在电网电压跌落故障期间建立功率曲线的平衡点(EP)。由于该方法在构建平衡点的同时通过降低电压参考值来限制故障电流,因此在故障期间能够保持电压源的运行特性以及功率同步。该方法的另一个显著优点是,无需采样电网电压或测量线路阻抗,仅通过控制器中的变量即可检测电网电压跌落...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的构网型变流器暂态稳定增强方法具有重要的工程应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,我们在高比例新能源接入场景中面临的核心挑战之一,就是如何在电网故障时既保证设备安全又维持系统稳定运行。 该技术的核心创新在于通过自适应虚拟阻抗和功率基准调节的协同作用...

储能系统技术 储能系统 虚拟同步机VSG 微电网 ★ 5.0

频率约束下含网络化微电网动态边界的主动配电网最优恢复调度

Frequency-Constrained Optimal Restoration Scheduling in Active Distribution Networks With Dynamic Boundaries for Networked Microgrids

Chongyu Wang · Wei Lin · Guoteng Wang · Mohammad Shahidehpour 等6人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年9月

本文提出一种考虑频率安全约束的主动配电网最优恢复调度框架(FRSDN),充分利用分布式能源,特别是逆变型可再生能源发电单元(IIREGs)。通过融合同步热电机组调速器与IIREG虚拟同步控制的等效聚合频率响应,建立了适用于可再生能源主导的配电网恢复过程中负荷投入阶段的线性化且保守的动态频率指标约束。进一步,构建了序贯动态边界识别模型(SDIDM),精确辨识网络化微电网的动态边界及参与机组类型,从而有效施加频率安全约束。最终将问题建模为三层鲁棒混合整数线性规划(MILP),并采用列与约束生成(C&...

解读: 该频率约束恢复调度技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan储能系统具有重要应用价值。研究提出的虚拟同步控制聚合频率响应模型,可直接应用于优化阳光电源储能PCS的VSG控制策略,提升微电网黑启动和孤岛运行时的频率稳定性。动态边界识别算法为iSolarCloud平台提供了配电网恢复调度的智...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

基于硅衬底并采用刻槽n+-GaN帽层与局域钝化层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管以提升优值和动态特性

AlGaN/GaN-based SBDs grown on silicon substrates with trenched n+-GaN cap layer and local passivation layer to improve BFOM and dynamic properties

Zhizhong Wang1Jingting He2Fuping Huang2Xuchen Gao1Kangkai Tian2Chunshuang Chu2Yonghui Zhang1Shuting Cai2Xiaojuan Sun3Dabing Li3Xiao Wei Sun4Zi-Hui Zhang5 · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46

本文设计并制备了在硅衬底上具有刻槽n+-GaN帽层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。研究表明,n+-GaN帽层可向AlGaN/GaN沟道注入更多电子,使二维电子气密度提高一倍,比导通电阻降至约2.4 mΩ·cm²。通过干法刻蚀形成刻槽结构消除关态表面漏电,并在场板沉积前引入Si₃N₄钝化层,有效抑制刻蚀导致的表面缺陷,使漏电流降低至约8×10⁻⁵ A·cm⁻²,击穿电压达876 V,Baliga优值提升至约319 MW·cm⁻²。该Si₃N₄层还可抑制电子捕获与输运过程,显著改善动态导通电阻...

解读: 该硅基GaN肖特基二极管技术对阳光电源功率变换系统具有重要应用价值。刻槽n+-GaN帽层技术使比导通电阻降至2.4 mΩ·cm²,Baliga优值达319 MW·cm⁻²,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的同步整流电路,降低导通损耗15-20%。局域钝化层抑制动态导通电阻退化的方案...

氢能与燃料电池 ★ 5.0

单片集成氢终端金刚石场效应晶体管逻辑电路

Monolithically Integrated Hydrogen-Terminated Diamond FET Logic Circuits

Yuesong Liang · Wei Wang · Genqiang Chen · Fei Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月

逻辑电路是实现集成电路的基础。本文利用氢化金刚石制备了负载分别为电阻、增强型场效应晶体管(FET)和耗尽型FET的单片E/R、直耦E/E及E/D反相器逻辑电路,并测试其性能。结果表明,E/D逻辑电路在电压摆幅、增益、噪声容限和功耗方面显著优于E/R和E/E电路,在−10 V供电下实现−9.44 V的逻辑摆幅、15.5 V/V的电压增益、0.82/7.07 V的低/高噪声容限,静态功耗低于10⁻³ W,并可在高达200°C下正常工作,展现出金刚石智能功率集成电路的巨大潜力。

解读: 该氢终端金刚石FET逻辑电路技术对阳光电源功率器件及高温应用场景具有重要价值。金刚石器件200°C高温工作能力可应用于:1)ST储能系统功率模块,减少散热需求,提升功率密度;2)SG光伏逆变器高温环境适应性,降低冷却系统成本;3)车载OBC充电机,满足发动机舱高温工况。其E/D逻辑电路的高电压摆幅(...

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