找到 19 条结果
基于三相逆变器的非对称六相感应电机过调制策略
A Three-Phase Inverter Based Overmodulation Strategy of Asymmetrical Six-Phase Induction Machine
Sayan Paul · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
针对非对称六相感应电机（ASIM），本文提出了一种过调制（OVM）策略。该策略通过在非能量传输平面施加非零平均电压，提高了直流母线利用率。针对现有技术导致的额外电流和铜损问题，文章从六维空间矢量角度出发，优化了脉宽调制（PWM）方法，有效降低了损耗并简化了控制逻辑。
解读: 该文献探讨的多相电机驱动与过调制技术，主要应用于高性能工业电机驱动领域，与阳光电源目前聚焦的“光伏逆变器、储能PCS及风电变流器”主营业务存在一定技术跨度。虽然阳光电源在风电变流器领域涉及电机侧控制，但该文针对的是六相感应电机，与主流风电双馈或直驱电机控制逻辑不同。建议研发团队关注其在“提高直流母线...
利用高频电力电子变换器模拟长输电线路投运的硬件仿真
Hardware Emulation of Energization of a Long Transmission Line by High-Frequency Power Electronic Converter
Sushmit Mazumdar · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
本文提出了一种可编程输电线路硬件仿真器，旨在实时模拟电力系统设备测试中的高频暂态过程。该仿真器通过实时求解电报方程，实现了对长输电线路投运过程的精确模拟，为电力电子设备的并网性能测试提供了重要的实验环境。
解读: 该技术对于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着构网型（GFM）技术在弱电网及长距离输电场景下的应用增加，逆变器在复杂电网暂态下的稳定性至关重要。该硬件仿真方法可用于模拟极端电网工况，优化逆变器控制算法，提升产品在弱电网环境下的并网性能与黑启...
非对称六相电机最小均方根电流纹波的过调制技术
Overmodulation Techniques of Asymmetrical Six-Phase Machine With Minimum RMS Current Ripple
Sayan Paul · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
本文分析了具有两个隔离中性点的非对称六相电机（ASPM）在能量转换和谐波子空间中的特性。通过在谐波子空间注入非零平均电压，ASPM的过调制（OVM）技术扩展了其在能量转换平面的运行区域，从而获得更高的电压增益。针对低阻抗导致的电流纹波问题，文章提出了优化策略以最小化均方根电流纹波。
解读: 该文献探讨的多相电机控制及过调制技术主要应用于高性能工业驱动领域。对于阳光电源而言，虽然目前核心业务聚焦于光伏逆变器、储能PCS及风电变流器，但该技术中关于多相系统谐波抑制与过调制电压增益提升的控制思想，可为公司未来探索大功率风电变流器或特殊工业电机驱动应用提供理论参考。建议研发团队关注其在复杂多维...
一种单向单级三相软开关隔离式DC-AC变换器
A Unidirectional Single-Stage Three-Phase Soft-Switched Isolated DC–AC Converter
Anirban Pal · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年2月
本文提出了一种新型单级软开关高频链三相DC-AC变换器拓扑。该拓扑支持单向功率流，适用于光伏发电、燃料电池等并网应用。通过高频磁隔离技术，有效降低了系统体积、重量及成本，并采用正弦脉宽调制技术实现高效转换。
解读: 该拓扑采用单级式高频隔离设计，能够显著提升光伏逆变器的功率密度并降低系统成本，与阳光电源组串式逆变器及户用光伏产品线追求小型化、高效率的发展趋势高度契合。高频隔离技术可简化系统结构，减少磁性元件体积，有助于提升户用及工商业光伏逆变器的竞争力。建议研发团队关注该软开关技术在降低开关损耗方面的潜力，评估...
半桥配置下SiC MOSFET电路寄生参数的测量
Measurement of Circuit Parasitics of SiC MOSFET in a Half-Bridge Configuration
Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
SiC MOSFET的快速开关瞬态虽降低了开关损耗，但会激发器件及电路寄生参数，导致振荡、器件应力增大、误导通、EMI问题及额外损耗。准确获取电路寄生参数是建立行为模型或解析模型以评估开关损耗及dv/dt、di/dt的关键。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）至关重要。随着公司产品向高功率密度和高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。准确测量并建模电路寄生参数，能够有效优化PCB布局与驱动电路设计，抑制高频振荡带来的EMI干扰及电压尖峰，从而提升PowerTi...
双两电平逆变器与双矩阵变换器消除共模电压的载波SVPWM实现
Carrier-Based Implementation of SVPWM for Dual Two-Level VSI and Dual Matrix Converter With Zero Common-Mode Voltage
Rohit Baranwal · Kaushik Basu · Ned Mohan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年3月
脉宽调制（PWM）变换器产生的共模电压（CMV）会导致电机轴承损坏及电磁干扰问题。本文提出了一种针对开绕组电机驱动的通用载波PWM技术，能够完全消除开关共模电压，从而提升系统的电磁兼容性与运行可靠性。
解读: 该技术对于阳光电源的逆变器及变流器产品线具有重要参考价值。在光伏逆变器和储能PCS（如PowerTitan系列）中，共模电压引起的漏电流和电磁干扰是影响系统可靠性的关键因素。通过采用该文提出的零共模电压调制策略，可有效降低对滤波器设计的压力，提升系统电磁兼容性（EMC）表现。建议研发团队在高性能工业...
一种带三相解折叠电路的单级软开关隔离式三相DC-AC变换器
A Single-Stage Soft-Switched Isolated Three-Phase DC–AC Converter With Three-Phase Unfolder
Anirban Pal · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月
本文提出了一种单级、三相、高频链路DC-AC变换器。该拓扑利用三个高频变压器实现电气隔离。原边采用三个半桥臂，副边采用二极管整流桥及半桥解折叠电路。该方案通过软开关技术提升效率，适用于高功率密度转换场景。
解读: 该拓扑结构通过高频变压器实现电气隔离，且采用单级式设计，有助于提升逆变器的功率密度并降低系统体积。对于阳光电源的组串式光伏逆变器及工商业储能PCS产品线，该技术方案在提升转换效率和减小磁性元件体积方面具有参考价值。建议研发团队关注其软开关控制策略在降低开关损耗方面的潜力，探索其在未来高频化、小型化光...
半桥配置下SiC MOSFET关断软开关动态特性分析模型
Analytical Model to Study Turn-OFF Soft Switching Dynamics of SiC MOSFET in a Half-Bridge Configuration
Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月
SiC MOSFET具有极快的开关瞬态，虽能降低开关损耗，但易引发振荡、误导通及EMI问题。本文针对软开关变换器，研究了利用外部漏源电容抑制上述负面效应的分析模型，旨在优化SiC器件在高速开关下的动态性能与可靠性。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有重要指导意义。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用已成为主流。该分析模型有助于研发团队精确评估SiC MOSFET在软开关（如LLC或移相全桥）下的关断动态，从而优化驱动电路设计，有效抑...
基于数据手册参数的SiC MOSFET与肖特基二极管对开通损耗的解析估算
Analytical Estimation of Turn on Switching Loss of SiC mosfet and Schottky Diode Pair From Datasheet Parameters
Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
在设计初期估算开关损耗对于确定开关频率及选择功率器件至关重要。相比仿真或双脉冲实验，基于栅极电荷法的解析估算方法计算最为快速简便。本文提出了一种针对SiC MOSFET与肖特基二极管组合的开通损耗解析估算方法。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）的研发。随着SiC器件在高效能逆变器及高功率密度PCS中的广泛应用，准确的损耗估算模型能显著缩短产品开发周期，优化散热设计。建议研发团队将此解析模型集成至iSolarCloud配套的仿真工具链中，以提升对S...
研究碳化硅MOSFET与肖特基二极管硬关断开关动态的分析模型
Analytical Model to Study Hard Turn-off Switching Dynamics of SiC mosfet and Schottky Diode Pair
Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
SiC MOSFET的快速开关瞬态可能导致振荡、误导通、器件应力增大及电磁干扰。为优化布局与驱动设计，本文提出了一种能够捕捉SiC MOSFET与SiC肖特基二极管（SBD）硬关断开关动态的分析模型。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有极高的应用价值。随着公司产品向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件已成为主流选择。该分析模型有助于研发团队在设计阶段精确预测开关过程中的电压电流应力，从而优化驱动电路布局，有效抑制电磁干扰（EMI）并...
硅超结MOSFET与碳化硅肖特基二极管对的详细分析开关瞬态模型
A Detailed Analytical Switching Transient Model for Silicon Superjunction MOSFET and SiC Schottky Diode Pair
Manish Mandal · Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
硅超结MOSFET（Si SJMOS）与碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）组合因高可靠性和性价比，常用于单相PFC应用。本文针对Si SJMOS与宽禁带器件在开关动态上的差异，提出了一种改进的分析模型，用于深入研究其开关瞬态过程。
解读: 该研究对于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有重要参考价值。在单相PFC电路中，Si SJMOS与SiC SBD的混合应用是平衡成本与效率的关键方案。通过该分析模型，研发团队能更精确地预测开关损耗与电磁干扰（EMI），从而优化PCB布局与驱动电路设计。建议在户用组串式逆变器及充电桩的功率模块设...
一种用于光储电网侧集成的单级高频链中压交流转直流变换器
A Single-Stage High-Frequency-Link Medium Voltage Ac to Dc Converter for Utility-Scale Grid Integration of Solar and Storage
Harisyam P V · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
本文提出了一种创新的电气隔离型中压交流（MVAC）转低压直流（LVDC）变换器，适用于公用事业规模的可再生能源与储能系统并网。该变换器支持任意功率因数下的双向功率流动，并具备高电能质量。通过采用高频变压器技术，显著降低了系统体积与重量。
解读: 该技术对阳光电源的PowerTitan系列大型储能系统及中压并网方案具有重要参考价值。通过高频链技术实现中压直接并网，可省去传统工频变压器，显著提升系统功率密度并降低占地面积，符合当前大型地面电站降本增效的趋势。建议研发团队关注该拓扑在高压侧的绝缘设计与软开关控制策略，以优化PowerTitan在电...
一种具有高频隔离的减少开关数量单级三相双向整流器
A Reduced Switch Count Single-Stage Three-Phase Bidirectional Rectifier With High-Frequency Isolation
Rohit Baranwal · Kartik V. Iyer · Kaushik Basu · Gysler F. Castelino 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文提出了一种基于双有源桥（DAB）的三相双向整流器拓扑及其调制策略。该拓扑通过减少开关管数量实现了高频隔离，在可再生能源发电、插电式混合动力汽车及配电系统等领域具有应用潜力，能有效提升功率密度并实现双向功率流控制。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。通过减少开关数量实现高频隔离，有助于进一步优化储能变流器（PCS）的功率密度和转换效率，降低系统体积与成本。对于充电桩产品，该拓扑可提升三相交流侧的功率因数校正（PFC）性能。建议研发团队...
一种具有工频展开的三相三电平隔离型DC-AC变换器
A Three-Phase Three-Level Isolated DC–AC Converter With Line Frequency Unfolding
Anirban Pal · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月
本文提出了一种用于光伏并网的三相单级高频链路DC-AC变换器。该拓扑在直流侧采用两个三电平中点钳位（NPC）半桥臂。相比传统的两电平结构，三电平半桥臂的优势在于：可以使用耐压等级更低的功率器件，从而降低开关损耗并提高效率。
解读: 该拓扑结构对阳光电源的组串式和集中式光伏逆变器产品线具有重要的参考价值。采用三电平NPC拓扑能有效降低器件电压应力，提升功率密度，这与阳光电源追求高效率、高功率密度的设计理念高度契合。高频隔离链路的设计有助于减小系统体积，适用于对空间要求严苛的工商业及地面光伏电站场景。建议研发团队关注该拓扑在降低开...
一种用于公用事业规模可再生能源并网的软开关高频链单级三相逆变器
A Soft-Switched High-Frequency Link Single-Stage Three-Phase Inverter for Grid Integration of Utility Scale Renewables
Anirban Pal · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
本文提出了一种新型单级高频链三相逆变器及其调制策略，旨在实现太阳能、燃料电池及风能等公用事业规模能源的单向并网。该拓扑结构通过高频变压器实现电气隔离，并结合软开关技术，旨在提升电力电子变换效率，适用于大规模可再生能源发电系统。
解读: 该技术对阳光电源的集中式及组串式光伏逆变器产品线具有重要参考价值。高频链隔离技术可有效减小系统体积并提升功率密度，符合当前大型地面电站对高效率、轻量化逆变器的需求。软开关调制策略有助于降低开关损耗，进一步提升整机效率，对优化阳光电源现有大功率逆变器（如SG系列）的散热设计与效率指标具有指导意义。建议...
一种用于PWM交流驱动且具有基于源的漏感能量换流的单级固态变压器
A Single-Stage Solid-State Transformer for PWM AC Drive With Source-Based Commutation of Leakage Energy
Kaushik Basu · Arushi Shahani · Ashish Kumar Sahoo · Ned Mohan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年3月
本文提出了一种用于三相交流驱动的单级固态变压器（SST）。该拓扑利用高频变压器实现功率变换，具备高功率密度、无功支撑及频率调节等先进特性，适用于现代配电系统及高功率密度电机驱动领域，并重点研究了漏感能量的换流控制技术。
解读: 固态变压器（SST）技术在电力电子领域具有前瞻性，虽然阳光电源目前主营业务聚焦于光伏逆变器、储能PCS及风电变流器，但SST的高功率密度和灵活控制特性对未来中高压直流输电及微电网接口具有参考价值。该技术中涉及的高频隔离与漏感能量处理方案，可为阳光电源下一代高功率密度储能变流器（PowerTitan系...
一种基于双有源桥的单相交直流电力电子变压器及其先进特性
A Dual-Active-Bridge-Based Single-Phase AC to DC Power Electronic Transformer With Advanced Features
Rohit Baranwal · Gysler F. Castelino · Kartik Iyer · Kaushik Basu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年1月
本文提出并分析了一种基于推挽电路的交直流电力电子变压器（PET）。该系统利用双有源桥（DAB）原理，实现了单相交流与直流之间的双向功率流动。相比传统工频变压器，该方案显著减小了体积与重量，在电力电子变换领域具有广泛应用前景。
解读: 该研究涉及的DAB拓扑是阳光电源储能变流器（PCS）及电力电子变压器技术的核心基础。DAB拓扑的高功率密度和双向功率流动特性，对于PowerTitan和PowerStack系列储能系统的效率优化及体积缩减至关重要。此外，该技术在光伏与储能耦合的直流微网应用中具有参考价值。建议研发团队关注该拓扑在宽电...
三相移调制双有源桥变换器的解析闭式ZVS边界
Analytical Closed-Form ZVS Boundaries of Triple-Phase-Shift Modulated Dual Active Bridge Converter
Prosen Dey · Sayan Paul · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
双有源桥（DAB）变换器因其双向功率流特性被广泛应用。为实现高效率与高功率密度，所有功率器件需实现零电压开关（ZVS）。本文推导了三相移调制下DAB变换器的ZVS边界解析闭式解，为优化变换器效率及开关损耗提供了理论依据。
解读: 该研究直接服务于阳光电源储能业务的核心拓扑。DAB变换器是PowerTitan、PowerStack系列储能变流器（PCS）实现直流侧电压变换与双向功率流动的关键拓扑。通过精确的ZVS边界解析，研发团队可优化三相移（TPS）控制策略，显著降低PCS在宽电压范围下的开关损耗，提升整机效率。建议将该解析...
SiC MOSFET配SiC肖特基二极管半桥配置串扰诱导栅源电压峰值精确预测的改进模型
Improved Model for Crosstalk-Induced Voltage Peaks Prediction
Manish Mandal · Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年12月
SiC MOSFET快速开关瞬态降低开关损耗但产生高dV/dt。有源器件导通时高dV/dt增加互补器件栅源电压可能导致误导通产生正串扰,关断时栅源电压降低导致负串扰。负栅压(NGV)可限制正串扰峰值低于阈值但可能加剧负串扰峰值超出安全范围影响SiC MOSFET可靠性。提出改进模型精确预测SiC MOSFET串扰诱导栅源电压峰值,采用SiC肖特基二极管避免MOSFET体二极管反向恢复。除建模非线性电容、寄生电感和时变dV/dt外,结合详细沟道电流模型和PCB寄生电容增强预测有源器件漏源电压梯度和...
解读: 该SiC串扰预测模型技术对阳光电源SiC功率模块设计有重要应用价值。改进模型可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的SiC半桥设计,优化NGV和栅极电阻选择以抑制串扰并避免误导通。该技术对PowerTitan大型储能系统SiC功率模块的可靠性设计和PCB布局优化有指导意义。精确的串扰预测对阳光电源S...