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研究碳化硅MOSFET与肖特基二极管硬关断开关动态的分析模型
Analytical Model to Study Hard Turn-off Switching Dynamics of SiC mosfet and Schottky Diode Pair
| 作者 | Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 肖特基势垒二极管 开关动态 解析模型 电磁干扰 关断瞬态 栅极驱动器设计 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET的快速开关瞬态可能导致振荡、误导通、器件应力增大及电磁干扰。为优化布局与驱动设计，本文提出了一种能够捕捉SiC MOSFET与SiC肖特基二极管（SBD）硬关断开关动态的分析模型。
English Abstract
Fast switching transient of SiC mosfet may lead to prolonged oscillations, spurious turn on, large device stress, and high amount of electromagnetic interference generation. For an optimal layout and gate driver design, study of switching dynamics is important. This article presents an analytical model that captures the turn-off switching dynamics of SiC mosfet and SiC Schottky barrier diode (SBD)...
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SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有极高的应用价值。随着公司产品向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件已成为主流选择。该分析模型有助于研发团队在设计阶段精确预测开关过程中的电压电流应力，从而优化驱动电路布局，有效抑制电磁干扰（EMI）并提升系统可靠性。建议将此模型集成至研发仿真平台，指导高频SiC功率模块的选型与驱动参数优化，以进一步提升产品在极端工况下的稳定性和热性能。