Xueqiang Yu · Xiaodong Xu · Hao Jiang · Lei Wu · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文研究了重离子辐照在4H-SiC肖特基势垒二极管中引入的缺陷陷阱浓度随深度的分布特性。通过变能量重离子辐照结合深能级瞬态谱技术，获得了不同深度处的陷阱浓度分布，并分析了主要缺陷能级（如Z1/Z2和HK中心）的形成机制与空间演化规律。结果表明，陷阱浓度分布与离子射程及电子/核能损密切相关，缺陷峰值区域位于近表面至几个微米深度范围内。该研究为理解SiC器件在高能粒子环境下的退化机理提供了实验依据。

解读: 该研究对阳光电源SiC功率器件的可靠性设计具有重要指导意义。研究揭示的重离子辐照导致的缺陷分布特性，直接关系到我司ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的辐照耐受性。特别是在航天级和核电站配套的高可靠性产品中，需要充分考虑这种缺陷效应对器件性能的影响。基于该研究成果，我们可以优化SiC器...

Suzhou Laboratory · Qing Zhu · Ke Xu · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

针对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）中陷阱效应对沟道温度测量的干扰问题，提出了一种抑制陷阱效应的沟道温度提取与热阻表征模型。该模型通过动态栅压调控技术有效抑制表面和界面陷阱的充放电行为，结合电学法精确提取稳态与瞬态沟道温度，并建立与陷阱密度相关的热阻解析模型。实验结果表明，该方法显著降低了传统电学测温中的误差，提升了高温工作条件下器件热特性的表征精度，为GaN HEMTs的热管理设计提供了可靠依据。

解读: 该GaN HEMT热阻精确表征技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中，GaN器件因高频高效特性被广泛采用，但陷阱效应导致的温度测量误差直接影响热管理设计可靠性。该模型通过动态栅压调控抑制陷阱充放电，可精确提取沟道温度，为阳光电源优化GaN功率模块散热设计、提升...

Lin Hao · Ke Xu · Hui Guo · Pengfei Shao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

本文报道了一种通过引入高介电常数（extreme-k）且具有显著介电极化的钛酸钡（BaTiO3）绝缘层来显著提升常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）性能的新方法。BaTiO3的强极化效应有效增强了栅控能力，提高了器件的阈值电压稳定性和开关比。实验结果表明，该器件展现出优异的常关特性、低亚阈值摆幅和高跨导，同时漏电流抑制能力显著改善。该策略为实现高性能、高可靠性GaN基功率电子器件提供了新的技术路径。

解读: 该BaTiO3栅极工艺创新对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要价值。通过提升GaN器件的阈值电压稳定性和开关特性,可显著优化SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频开关性能,提高系统功率密度。特别是在1500V高压系统中,改进的漏电流抑制能力有助于提升产品可靠性。这种高介电常数栅极技术也可用于...

Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126

本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓（GaN）P沟道FinFET器件，实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布，有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明，该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出，最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。

解读: 该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性...

Yuxin Hao · Hao Zhou · Song Qiu · Che Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

堆叠式布鲁姆莱恩脉冲发生器（SBPG）以高电压效率著称，符合脉冲功率技术紧凑化、灵活化的发展趋势。本文针对限制SBPG级数扩展的高压隔离与耦合问题，提出了一种定制化输出电压的解决方案，旨在推动其在脉冲功率领域的广泛应用。

解读: 该技术属于高压脉冲功率变换领域，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS或充电桩等主流电力电子产品在拓扑结构和应用场景上存在较大差异。虽然其堆叠式结构和高压隔离技术在超高压电力电子变换器设计中具有一定参考价值，但目前阳光电源的产品线主要聚焦于工频或高频电力电子变换，而非脉冲功率发生。建议研发团队关注其...

Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管，其功率密度高达614 MW/cm²，兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性，器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性，适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明，该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡，同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为，为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。

解读: 该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计，有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性...

Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

研究了在高压射频应力下，不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗，低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析，表明高阻抗下自热效应更强，但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速，加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试，识别出浅能级陷阱的激活是退化主因，并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。

解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制，可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域，可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...

Jin Zhu · Hao Yang · Xu Yang · Songming He 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

固态断路器（SSCB）具备响应快、无电弧、寿命长等优势，适用于直流配电系统保护。然而，在多端口场景下，传统SSCB拓扑存在器件数量多、体积大、导通损耗高及成本增加等问题。本文提出了一种基于双向器件的多端口SSCB拓扑，旨在优化系统集成度与效率。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及直流微电网解决方案具有重要参考价值。随着储能系统向高压直流化发展，多端口直流保护的需求日益增长。该拓扑通过减少器件数量降低损耗，有助于提升阳光电源储能PCS的功率密度和系统可靠性。建议研发团队关注该拓扑在直流汇流排保护中的应...

Xiaochuan Deng · Xu Li · Xuan Li · Hao Zhu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月

本文针对1200V级非对称及双沟槽结构SiC MOSFET，在单脉冲短路应力下研究了其短路能力预测方法及失效模式。通过建立短路预测模型，评估了器件在不同直流母线电压下的短路耐受时间和临界能量，为功率器件的可靠性设计提供了快速评估手段。

解读: SiC器件是阳光电源提升组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩功率密度的核心技术。该研究提出的短路能力预测模型，能够有效指导研发团队在设计阶段优化驱动保护电路，提升系统在复杂工况下的鲁棒性。针对双沟槽及非对称结构SiC MOSFET的失效机理分析，有助于阳光电源在选用高压SiC模...

Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒，有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展，增强了载流子 confinement 效应，提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明，器件具有较低的开启电压和高电流密度，同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。

解读: 该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和...

Tianqu Hao · Feng Gao · Tao Xu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月

本文提出了一种从不平衡三相信号中快速提取对称分量的新算法。与传统方法相比，该算法通过非标称dq变换直接生成特殊d轴分量，有效解决了传统方法在正负序分量分解过程中引入显著延迟的问题，提升了信号处理的实时性。

解读: 该算法在电网电压不平衡或弱电网环境下具有极高的应用价值。对于阳光电源的组串式和集中式光伏逆变器，以及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）而言，快速准确的对称分量提取是实现高性能电流控制、低电压穿越（LVRT）以及构网型（GFM）控制的关键。该技术能显著降低控制环路的延迟，提...

Wenjie Wang · Hao Yan · Xuejiao Wang · Yongxiang Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文针对单电流传感器（SCS）采样方法，分析了开关周期内电压矢量作用时间导致的采样不同步问题。采样延迟会引起相电流重构误差，从而降低电机驱动系统的控制性能。文章提出了相应的误差分析模型与补偿策略，以提升电流重构精度与系统动态响应。

解读: 该研究关注电机驱动中的电流采样精度与控制算法优化。阳光电源的电动汽车充电桩及风电变流器产品线中，电机控制算法是核心技术之一。虽然该文侧重于PMSM驱动，但其提出的单电流传感器采样延迟补偿策略，对于优化阳光电源风电变流器中的发电机侧控制算法具有参考价值。在成本敏感型应用中，通过算法补偿减少传感器数量（...

Zebin Yang · Tianyang Shen · Xiaodong Sun · Dong Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

针对柔性关节永磁同步电机参数敏感性问题，本文提出了一种鲁棒自适应谐振控制策略。该策略旨在解决传统自适应谐振控制器在面对负载转矩、电机参数及摩擦转矩等非周期性扰动时鲁棒性不足的问题，有效提升了系统的整体控制性能。

解读: 该研究聚焦于电机伺服控制中的鲁棒性与谐振抑制，虽然阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）主要涉及电力电子变换，而非直接的电机伺服驱动，但其提出的自适应谐振控制算法在处理复杂电网环境下的谐波抑制、弱电网并网以及风电变流器中的电机侧控制方面具有一定的参考价值。建议研发团队关注该算法在提...

Ruinan Xue · Panbao Wang · Wenbo Hao · Wei Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月

针对光伏微型逆变器在间歇性光照下常处于轻载运行的问题，本文提出了一种用于单级串联谐振双有源桥（DAB）微逆变器的在线迭代轨迹优化策略。通过优化ZVS条件下的开关轨迹，有效提升了轻载条件下的能量转换效率。

解读: 该研究针对微型逆变器（Microinverter）在低辐照度下的效率瓶颈，提出的在线迭代轨迹优化策略对阳光电源的户用光伏产品线具有重要参考价值。微逆变器在分布式户用场景中应用广泛，轻载效率直接影响系统的全天发电量。该控制算法可优化DAB变换器的软开关特性，减少开关损耗。建议研发团队评估该策略在阳光电...

Danqi Xiang · Jianzhong Yang · Yong Hao · Guangda Xu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月

本文提出了一种针对永磁同步电机驱动三相电压源逆变器（VSI）死区效应电压误差的反正切双参数辨识方法。该方法在自调试过程中保持电机静止，利用扰动观测器提升跟踪性能，有效解决了死区效应带来的非线性电压畸变问题。

解读: 该研究聚焦于逆变器死区效应的精确建模与参数辨识，对提升逆变器输出电流质量及低速运行性能具有参考价值。对于阳光电源而言，该技术可应用于组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）的控制算法优化，特别是在弱电网环境下，通过更精准的死区补偿提升并网电流的谐波抑制能力。此外，该自调试方法有助于在生产测试环节实现逆...

Shuai Xu · Hao Chen · Jian Yang · Feng Dong · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月

本文研究了一种新型集成功率变换器（NIPC）在开关磁阻驱动（SRD）系统中的性能与可靠性，并与非对称半桥变换器（AHBPC）进行了对比。通过软斩波方式分析了NIPC的工作模式与电压方程，并开发了相应的控制策略，旨在提升系统的成本效益与运行可靠性。

解读: 该文献探讨的开关磁阻电机驱动拓扑与阳光电源现有的光伏逆变器、储能变流器（PCS）及风电变流器业务核心技术路径（主要基于IGBT/SiC的电压源逆变器）存在一定差异。虽然其提出的集成变换器设计思路和可靠性评估方法在功率电子领域具有通用参考价值，但由于开关磁阻驱动系统主要应用于工业电机驱动领域，与阳光电...

Cheng Jiang · Bin Wei · Chong Xu · Xiaokang Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月

本文提出了一种在耦合偏移条件下提升双发射单接收电容式电能传输（CPT）系统效率的方法。文章建立了包含发射、接收及屏蔽极板的十板式双发射电容耦合器模型，并对双发射CPT系统的等效电路进行了深入分析，研究了系统参数与偏移状态下的传输特性关系。

解读: 该技术属于无线电能传输（WPT）领域，虽然目前阳光电源的主流业务聚焦于有线光伏逆变器和储能系统，但电容式电能传输（CPT）作为一种高功率密度、低成本的无线充电技术，在未来电动汽车充电桩（EV Charger）业务中具有潜在的差异化竞争优势。该研究针对耦合偏移的效率优化方案，可为阳光电源研发下一代非接...

Jian Chen · Wensheng Song · Jianping Xu · Hao Yue 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月

SiC MOSFET凭借高开关速度与低损耗优势，在电力电子领域应用广泛。然而，其高频切换易引发严重的开关振荡与电磁干扰，威胁器件安全。本文提出一种具备钳位功能的开关振荡抑制方案，并给出了定量设计方法，有效提升了SiC器件运行的可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件已成为提升效率的关键。该振荡抑制方案能有效解决高频SiC应用中的电压尖峰与EMI难题，不仅能优化逆变器输出质量，还能降低...

Hao Zeng · Xiangbo Xu · Junfeng Li · Bolun Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

针对磁悬浮轴承（AMB）转子系统中由质量不平衡和传感器跳动引起的谐波电流问题，本文提出了一种改进的前馈重复控制器。通过引入自适应频率估计器，该方法能有效抑制特定频率的谐波干扰，提高转子系统的运行稳定性和控制精度。

解读: 该文献聚焦于磁悬浮轴承（AMB）的高精度控制算法，属于电机驱动与精密控制领域。虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及风电变流器，与AMB直接应用场景不同，但其核心技术——‘自适应频率估计’与‘重复控制’在电力电子领域具有通用性。建议研发团队关注该算法在风电变流器中对电网谐波抑制的优化，...

Zhuhaobo Zhang · Shaoting Zheng · Zirui Yao · Dehong Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月

本文提出了一种空间嵌套磁集成方法，将电能无线传输（IPT）系统中的离散谐振电感集成至变压器结构中。通过采用单极性变压器线圈，并与嵌套螺线管电感线圈实现正交解耦，有效解决了不同偏移情况下的耦合问题。

解读: 该技术主要针对无线充电领域，与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有潜在的技术关联。磁集成技术有助于提升功率密度并降低系统体积，对于未来探索高集成度、小型化的无线充电解决方案具有参考价值。建议研发团队关注该拓扑在提升系统抗偏移能力方面的表现，评估其在未来高端充电桩产品中实现模块化、轻量化设计的可行性，以增...