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储能系统技术 储能系统 LLC谐振 ★ 5.0

双向推挽正激LLC谐振变换器研究

Research on Bidirectional Push-Pull Forward LLC Resonant Converter

Qinglin Zhao · Xinao Li · Jing Yuan · Deyu Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

提出双向推挽正激LLC谐振变换器,应用于电动汽车、储能和可再生能源领域。变换器由低压侧推挽正激电路和高压侧带谐振腔的倍压整流器组成。为调节正向运行增益,高压侧设置辅助电感。倍压整流器二极管用MOSFET替代实现双向功率流。变换器采用脉冲频率调制(PFM),不仅抑制开关电压尖峰,还实现整流器零电流开关(ZCS)和主开关零电压开关(ZVS)。构建1kW实验样机,低压侧电压范围48-72V,高压侧380V。正向运行最高效率94.9%,反向运行最高效率95.2%。

解读: 该双向推挽正激LLC谐振变换器技术对阳光电源储能和电动汽车电源产品有重要应用价值。推挽正激与LLC谐振结合拓扑可应用于ST储能系统的双向DC-DC变换器,提高效率并降低电压应力。软开关技术对阳光电源车载OBC和储能变流器的高频化和高功率密度设计有借鉴意义。该技术对户用储能系统的宽电压范围适应和双向充...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

SKAD:一种基于结构知识引导的输电线路阻尼器异常检测统一框架

SKAD: A Unified Framework Guided by Structural Knowledge for Anomaly Detection of Dampers in Transmission Lines

Jiahao Shi · Jing Chen · Hao Jiang · Xiren Miao 等5人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年4月

阻尼器通过吸收输电线路振动能量以抑制导线振幅,但其可能发生内部结构异常(如阻尼头损伤)或外部位置异常(如沿导线滑移),影响减振效果。现有方法多针对单一异常类型,且局部特征提取能力有限。为此,本文提出SKAD,一种基于结构知识引导的统一检测框架,通过四个关键结构点对阻尼器结构特性进行编码,结合HRNet、GAU与SimCC构成的混合网络实现亚像素级定位。通过分析结构点的空间关系与向量特征,SKAD可在结构层面同步检测损伤(基于置信度阈值与向量点积)和滑移(基于深度-平行-距离约束)异常。实验结果表...

解读: 该输电线路阻尼器异常检测技术对阳光电源智能运维体系具有重要借鉴价值。其基于结构知识的亚像素级定位方法可迁移至iSolarCloud平台的设备巡检模块,用于光伏支架、储能柜体等关键部件的结构异常检测。SKAD框架中的多类型异常统一检测思路可应用于ST储能系统的预测性维护,通过视觉识别电池模组连接件松动...

储能系统技术 ★ 5.0

通过外加磁场调控液态金属电池的放电性能和电极界面

Regulating the discharge performance and electrode interface of liquid metal batteries through external magnetic fields

Xianbo Zhou · Lei Fan · Jing Ning · Hao Zhou 等9人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.383

摘要 液态金属电池(LMBs)因其长循环寿命、高安全性和低成本,在大规模储能领域具有广阔的应用前景。然而,LMBs在放电过程中存在较大的浓差极化以及一定的内部短路风险,严重阻碍了其实际应用。本研究提出采用施加外加磁场的策略来解决上述两个问题。首先,通过数值模型和逻辑推理阐明了外加磁场发挥作用的机理。进一步的实验结果表明,外加磁场显著提升了LMBs的放电性能。在500 mA cm−2的电流密度下,61.9 mT的磁场使放电电压提高了34.64%;在1000 mA cm−2的电流密度下,29.6 m...

解读: 该液态金属电池外磁场调控技术为阳光电源ST系列储能系统提供创新思路。研究揭示的磁场抑制浓差极化机制(500mA/cm²下电压提升34.64%)可启发PowerTitan大容量储能产品的热管理优化和电化学性能提升。磁场快速修复短路故障的能力对储能PCS的故障诊断与自愈合控制策略具有借鉴意义,可集成至i...

风电变流技术 ★ 5.0

涡激振动压电能量收集的随机分析在来流风湍流中的应用

Stochastic analysis for vortex-induced vibration piezoelectric energy harvesting in incoming wind turbulence

Jingyan Wang · Hongjun Xiang · Hao Jing · Yijiang Zhu 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.377

摘要 利用涡激振动压电能量收集器(VPEHs)从环境中捕获风能以驱动传感器,是一种具有前景的技术。以往大多数学者仅考虑均匀风场,即采用风湍流的平均值,而忽略了实际风环境中脉动分量的影响。这可能导致无法准确预测VPEHs在真实环境下的工作性能。为解决这一问题,本文基于概率密度演化方法(PDEM)建立了一种针对VPEHs的随机分析方法。将升力系数和阻力系数视为随机变量,随后通过数值分析与风洞实验,研究了不同来流风湍流条件下VPEHs的随机响应特性。结果表明,所提出的随机分析方法计算得到的置信区间和概...

解读: 该涡激振动压电能量采集技术对阳光电源风电变流器及分布式传感系统具有应用价值。研究中的随机风场建模方法可借鉴用于优化SG风电变流器的MPPT算法,提升湍流工况下的功率追踪精度。压电能量采集技术可为风电场分布式传感器供电,配合iSolarCloud平台实现免维护监测。基于概率密度演化法的可靠性设计思路,...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

过流应力下氮化镓高电子迁移率晶体管失效机制的实验与仿真研究

Experimental and Simulation Study on the Failure Mechanism of GaN HD-GIT Under Overcurrent Stress

Xi Jiang · Jing Chen · Chaofan Pan · Hao Niu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月

本文研究了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)在过流应力下的失效机制。评估了氮化镓混合漏极嵌入式栅极注入晶体管(HD - GIT)器件在不同应力条件下的过流行为,并确定了主要的失效模式。分阶段分析了GaN器件在过流事件期间的波形,并剖析了每个阶段背后的物理机制。进行了数值技术计算机辅助设计(TCAD)模拟,以分析过流应力期间的电场分布和电子迁移率的变化。通过模拟分析研究了热失控和漏极/衬底击穿失效。结果表明,GaN HEMTs中的热失控失效是由于电子迁移率降低和沟道内电场增加引发的,热...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于GaN HD-GIT器件过流失效机制的研究具有重要的技术价值和应用意义。GaN功率器件凭借其高开关频率、低导通损耗和高功率密度等优势,已成为光伏逆变器和储能变流器等产品实现高效率、高功率密度的关键技术路径。 该研究通过实验与TCAD仿真相结合,系统揭示了GaN H...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 5.0

性能均衡的4H-SiC JBSFET:集成JBS二极管与VDMOSFET特性以实现可靠的1700V应用

Well-balanced 4H-SiC JBSFET: Integrating JBS diode and VDMOSFET characteristics for reliable 1700V applications

Chia-Lung Hung · Yi-Kai Hsiao · Jing-Neng Yao · Hao-Chung Kuo · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.226

摘要 由于具有更高的击穿电场和热导率,碳化硅(SiC)功率器件适用于高电压和高温应用。近年来,许多SiC肖特基势垒二极管(SBD)和垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET)已实现商业化生产。与硅基绝缘栅双极型晶体管(Si-IGBT)相比,SiC VDMOSFET固有的体二极管也可用作电感开关电源电路中的续流二极管,从而无需额外封装的二极管,这有助于降低成本并减小整体封装尺寸。然而,当作为续流二极管使用时,SiC VDMOSFET体二极管的双极载流子导通特性和少数载流子注入机制会...

解读: 该JBSFET技术对阳光电源具有重要应用价值。通过将JBS二极管与VDMOSFET单片集成,实现了5.2mΩ-cm²低导通电阻和快速反向恢复特性,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的三电平拓扑中,省去外置续流二极管,降低封装成本和体积。其1700V耐压等级和优异温度特性,特别适合电动...