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风电变流技术 有限元仿真 ★ 5.0

一种具有阶梯斜极交叉齿结构的横向磁通轮辐式永磁电机设计

Design of a Transverse Flux Spoke-Type Permanent Magnet Motor With Step Skew Crossed Teeth

Bowen Zhang · Rundong Huang · Zhiping Dong · Yunhe Hou 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

本文提出了一种新型交叉齿横向磁通永磁电机(TFPMM),其定子齿采用阶梯斜极交错结构,可有效降低齿槽转矩和转矩脉动。该电机定子齿结构独特,并通过优化转子形状实现轴向分段,以减少相间漏磁。集中式环形绕组简化了绕组设计与装配,无需端部线圈。文中给出了阶梯斜极定子齿在空载反电动势和输出转矩方面的理论分析,评估了极对数与转子类型的影响。基于三维有限元仿真结果,研制了样机,并搭建空载与负载实验平台测试其反电动势与转矩性能。实验结果验证了仿真分析的准确性,表明该电机在转矩密度、功率密度及齿槽转矩抑制方面优于...

解读: 该横向磁通永磁电机设计对阳光电源新能源汽车产品线具有重要参考价值。其创新的阶梯斜极交叉齿结构可显著降低齿槽转矩和转矩脉动,有助于提升车载电机驱动系统的性能和可靠性。该设计的高转矩密度和功率密度特性,可应用于电动汽车充电桩的高效冷却系统和车载OBC充电机的电机散热优化。其简化的集中式环形绕组设计也为阳...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

打破热集成泵送式热能存储系统性能限制:一种三重效率提升方法

Breaking the performance limitation of thermally integrated pumped thermal energy storage system: A three-way efficiency-boosting method

Meiyan Zhang · Zhonghong Panb · Quangan Hub · Zhuorui Jiang 等10人 · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.344

摘要 热集成泵送式热能存储系统因其高电能往返效率、地理独立性以及对低品位废热的利用能力而受到越来越多的关注。然而,实际系统与理想系统之间存在巨大差距,目前尚不清楚如何针对这一差距突破实际系统的性能限制。本文基于能量和㶲分析,挖掘了推动实际系统向理想系统迈进以突破性能瓶颈的技术路径:提高能量转换效率和增强废热利用能力。为实现这两个目标,提出了一种三重效率提升方法,即结构改进、放电时间延长以及非共沸混合工质的应用。首先,开发了一种双压放电循环,以匹配工质与热源之间的温度分布,使电能往返效率达到142...

解读: 该热泵储能系统突破性技术对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan系统具有重要启示。三重效率提升方法(双压放电、延长放电时间、工质优化)可应用于储能系统热管理优化,特别是利用低品位废热提升系统效率从107%至220%的思路,可借鉴于大型储能电站的余热回收与温控系统设计。建议结合iSolarC...

储能系统技术 储能系统 模型预测控制MPC ★ 5.0

基于扩展ISMO的两步预测时域无模型预测控制在功率变换器中的应用

Extended ISMO-Based Two-Step Prediction Horizon Model-Free Predictive Control for Power Converters

Zeyu Zhang · Jien Ma · Lin Qiu · Xing Liu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年7月

模型预测控制因实现简单、性能优良和动态响应快而广泛应用于功率变换器。然而,传统方法依赖负载参数进行预测,鲁棒性差,且高频开关导致额外损耗。为此,本文提出一种基于积分滑模观测器(SMO)的鲁棒有限控制集模型预测控制方法。通过引入扩展ISMO实现超局部模型观测,有效抑制负载参数扰动影响;结合两步预测时域结构,拓展优化范围,提高连续周期内重复电压矢量的应用概率,显著降低开关频率。该方法在提升系统鲁棒性的同时,有效减少了对负载参数的敏感性,并保持较低开关频率。仿真与实验结果验证了所提方法的鲁棒性和低开关...

解读: 该扩展ISMO无模型预测控制技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG光伏逆变器具有重要应用价值。其核心优势在于:1)通过超局部模型观测实现对负载参数扰动的鲁棒控制,可显著提升PowerTitan储能系统在电网阻抗波动、负载突变等复杂工况下的稳定性;2)两步预测时域结构有效降低开关频率,直接减少SiC/...

电动汽车驱动 ★ 5.0

一种基于门极电压识别晶闸管反向恢复状态的新方法

A Novel Method for Identifying the Reverse Recovery State of Thyristors Based on Gate Voltage

Jin Yang · Xiangyu Zhang · Rui Chang · Zhiwei Wu 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年2月

作为直流输电系统中的关键电力电子器件,晶闸管因其导通损耗低、浪涌能力强、经济性好以及可靠的载流性能而备受青睐。然而,在换流变压器、有源逆变器和断路器等关键应用中,准确判断晶闸管的关断状态仍然是这些系统可靠运行面临的重大挑战。传统方法依靠检测流经晶闸管的反向恢复电流来判断其关断状态。这种方法常常面临检测困难、成本高和精度不足等问题,而且几十年来一直没有提出新的晶闸管关断状态检测方法。为解决晶闸管关断状态识别难题,本文提出了一种基于晶闸管门极电压识别其反向恢复状态的新方法。该方法无需测量一次侧的大电...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于门极电压识别晶闸管反向恢复状态的新方法具有重要的应用价值。在我们的光伏逆变器、储能变流器以及柔性直流输电等核心产品中,晶闸管作为关键功率器件广泛应用于换流、有源逆变和断路保护等环节,其关断状态的准确判断直接关系到系统的可靠性和安全性。 该技术的核心创新在于摆脱了传...

光伏发电技术 DAB 可靠性分析 强化学习 ★ 5.0

基于多智能体强化学习的社区共享储能-光伏系统用于电动汽车负荷管理

Community shared ES-PV system for managing electric vehicle loads via multi-agent reinforcement learning

Baligen Talihati · Shiyi Fu · Bowen Zhang · Yuqing Zhao 等6人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.380

摘要 在全球能源转型背景下,电动汽车(EV)的快速增长已成为不可逆转的趋势。然而,大规模电动汽车的接入对电力系统的稳定性与可靠性带来了严峻挑战。本研究提出通过社区共享的储能与光伏发电(ES-PV)系统来缓解电动汽车负荷带来的压力。在多智能体强化学习(MARL)框架下,多个决策智能体协同工作,共同管理社区内的各类变量与系统,包括储能系统的充放电策略、智能电动汽车充电策略以及ES-PV系统的电价策略。通过MARL实现的协调与优化,使上述策略能够应对各变量之间的相互依赖关系及动态变化,从而提升整体系统...

解读: 该多智能体强化学习框架对阳光电源社区能源解决方案具有重要价值。研究验证了光储系统可承载38.68%电动车负荷,与公司ST系列储能变流器、SG光伏逆变器及充电桩产品形成协同。多智能体协同优化储能充放电、智能充电及电价策略的思路,可融入iSolarCloud平台,提升社区微网的GFM控制性能。光伏自消纳...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于高质量叠层栅介质的Si衬底高效率AlN/GaN HEMT及其在K波段和Ka波段的应用

High-Efficiency AlN/GaN HEMTs With High-Quality Stacked Gate Dielectrics on Si Substrate for K- and Ka-Band Applications

Lingjie Qin · Jiejie Zhu · Qing Zhu · Bowen Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月

在本文中,我们报道了采用优化的 Al₂O₃/原位 SiN 堆叠栅介质、在 6 英寸硅衬底上制备的用于 K 波段和 Ka 波段应用的高性能 AlN/GaN 金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管(MIS - HEMT)。这些 MIS - HEMT 的栅长小于 0.2 微米,漏源间距为 3 微米,经频率相关的电容 - 电压(C - V)测量验证,其展现出卓越的电学特性和优异的界面质量。此外,通过应力测试证实了器件的可靠性。在 18 GHz 的大信号射频(RF)工作条件下,当漏极电压为 8 V...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇论文展示的AlN/GaN MIS-HEMT技术虽然聚焦于K/Ka波段射频应用,但其核心技术突破对我们在功率电子领域具有重要的参考价值和潜在协同效应。 该研究在6英寸硅基底上实现的高性能氮化镓器件,与阳光电源在光伏逆变器和储能变流器中大量使用的功率半导体技术路线高度相关...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 ★ 4.0

金基底晶体结构对宽禁带封装中银-金互扩散的影响

Influence of Au Substrate Crystal Structure on Ag–Au Interdiffusion for WBG Packaging

Bowen Zhang · Zhiheng Gao · Zhiyuan Zhao · Yi Liu 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年2月

银 - 金的快速扩散通常会导致界面结合薄弱,这对宽带隙(WBG)器件的稳定性产生显著影响。因此,原子尺度的互扩散机制对于有效抑制过度互扩散并最终实现牢固结合至关重要。在此,采用具有不同晶体结构的金基底制备了芯片贴装样品,其中样品 I 和样品 II 的剪切强度分别达到 43.5 MPa 和 34.4 MPa。后续的晶体结构分析证实,烧结后的样品 I 呈现出 47%的较高界面连接率(ICR)和小于 0.2 微米的较低银 - 金互扩散厚度,这两者均有利于高质量的键合。与样品 II(约 82.3%)相比...

解读: 从阳光电源功率半导体封装技术发展角度来看,这项关于Ag-Au界面扩散机制的研究具有重要的工程应用价值。随着我司光伏逆变器和储能变流器向更高功率密度、更高效率方向发展,SiC、GaN等宽禁带(WBG)器件的应用比例持续提升。这些器件在200°C以上的高温工作环境下,芯片贴装层的可靠性直接影响产品寿命和...

风电变流技术 ★ 5.0

考虑地形坡度和风机位置影响的二维山丘上风力机尾流特性的风洞研究

Wind tunnel study of wind turbine wake characteristics over two-dimensional hill considering the effects of terrain slope and turbine position

Yao Chen · Bowen Yan · Meng Yu · Guoqing Huang 等8人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.380

摘要 风电场中风机之间的尾流干扰会导致风电场整体发电功率显著下降。本研究通过系统的风洞试验,对在不同坡度的二维山丘上处于不同位置的风力机尾流特性进行了研究,其中风力机轮毂高度与山丘高度相同,均为250 mm,转子直径为400 mm。首先,提出了一种新的归一化方法,用于公平评估风力机在山丘不同位置处的尾流速度亏损。研究发现,位于山顶的风力机尾流受地形影响显著大于位于山前或山后的风力机。随后,系统分析了地形对风力机尾流的影响,包括速度亏损和附加湍流强度。山丘坡度主要影响风力机背风侧的尾流特性:当风力...

解读: 该风电尾流研究对阳光电源复杂地形风电场储能系统配置具有重要参考价值。研究揭示的山地地形对尾流特性的影响规律,可指导ST系列储能变流器在山地风电场的微观选址与容量优化配置。针对陡坡山顶尾流恢复快、缓坡尾流扩散宽的特性,可优化PowerTitan储能系统的功率平抑策略,通过iSolarCloud平台实时...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于6英寸Si衬底的高RF性能AlGaN/GaN HEMT用于低压应用

High RF Performance AlGaN/GaN HEMTs on 6-in Si Substrate for Low Voltage Applications

Yuxi Zhou · Jiejie Zhu · Bowen Zhang · Qiyu Wang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月

本文展示了用于低压应用的、基于6英寸硅衬底且具有出色射频性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。采用金属有机化学气相沉积法再生长n⁺ - InGaN欧姆接触,整片晶圆上的欧姆接触电阻平均值达到<0.08 Ω·mm。该器件栅长为220 nm,源漏间距为2.2 μm,饱和电流高达1689 mA/mm,峰值跨导为436 mS/mm。将晶圆减薄至100 μm后,对栅宽(Wg)为2×100 μm的HEMT在3.6 GHz下进行负载牵引测量,结果表明,在5 - 15 V的低漏极电压(Vd)下...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文展示的基于6英寸硅基底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术具有重要的战略参考价值,但其应用方向与我司核心产品存在显著差异。 该技术的核心优势在于低电压(5-15V)下的射频性能优化,在3.6GHz频段实现了业界领先的功率密度(最高4.35W/mm)...