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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 光伏逆变器 ★ 5.0

基于先进η-ρ-σ多目标优化技术的硅与碳化硅光伏逆变器系统全生命周期成本分析

Comparative Life Cycle Cost Analysis of Si and SiC PV Converter Systems Based on Advanced η-ρ-σ Multiobjective Optimization Techniques

Ralph Mario Burkart · Johann W. Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年6月

本文提出了一种电力电子变换器系统的虚拟原型设计方法,通过效率、功率密度和成本的多目标优化,对不同变换器概念进行系统性基准测试。该框架基于详细且经实验验证的模型,重点对比了硅(Si)与碳化硅(SiC)器件在光伏逆变器中的应用表现。

解读: 该研究直接契合阳光电源在组串式及集中式逆变器中对SiC器件的应用趋势。通过η-ρ-σ多目标优化,可为公司在产品研发阶段平衡效率提升与成本控制提供理论支撑。对于PowerTitan等储能系统及高性能光伏逆变器,利用该虚拟原型设计方法能有效缩短研发周期,优化功率模块布局,提升系统功率密度。建议研发团队引...

电动汽车驱动 双向DC-DC 电池管理系统BMS 充电桩 ★ 3.0

用于开关磁阻电机混合动力汽车应用的级联多端口变换器

Cascaded Multiport Converter for SRM-Based Hybrid Electrical Vehicle Applications

Qingguo Sun · Jianhua Wu · Chun Gan · Jikai Si 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月

本文提出了一种用于混合动力汽车的级联多端口开关磁阻电机(SRM)驱动系统。该系统实现了发电机/交流电网、电池组与电机之间的灵活能量转换,并具备电池管理功能,可实现荷电状态(SOC)平衡控制及母线电压调节。通过将电池组集成到非对称半桥拓扑中,有效提升了系统集成度与控制灵活性。

解读: 该研究提出的多端口变换器拓扑及电池管理集成方案,对阳光电源的电动汽车充电桩及车载电源产品线具有参考价值。虽然阳光电源目前核心业务聚焦于光伏与储能,但其在电力电子变换技术(如双向DC-DC、多端口拓扑)上的深厚积累与该研究高度契合。建议研发团队关注该拓扑在光储充一体化系统中的应用潜力,特别是如何通过多...

可靠性与测试 SiC器件 可靠性分析 功率模块 ★ 5.0

碳化硅功率变换器实时寿命预测与延长技术综述

Overview of Real-Time Lifetime Prediction and Extension for SiC Power Converters

Ze Ni · Xiaofeng Lyu · Om Prakash Yadav · Brij N. Singh 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

本文综述了碳化硅(SiC)功率器件的剩余寿命预测与延长技术。随着SiC MOSFET在光伏系统等高压、高功率变换器中的广泛应用,其在紧凑化与高效率方面的优势日益凸显。文章重点探讨了针对SiC器件的实时寿命评估方法,旨在提升下一代电力电子系统的可靠性与运行寿命。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan系列储能系统向更高功率密度和效率演进,SiC器件的应用已成为主流。实时寿命预测技术可集成至iSolarCloud智能运维平台,实现对逆变器及PCS核心功率模块的健康状态(SOH)监测与预警,从而降低运维成本并提升系统...

功率器件技术 GaN器件 DC-DC变换器 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于GaN的Buck变换器死区时间优化

Dead Time Optimization in a GaN-Based Buck Converter

Mohsin Asad · Amit Kumar Singha · Ravada Madhu Sudhan Rao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月

氮化镓(GaN)场效应管凭借低导通电阻和低结电容,性能优于硅MOSFET。然而,GaN变换器在反向导通期间存在较高的死区损耗。为提升效率,本文提出了一种用于GaN变换器死区时间优化的简化模型。

解读: GaN器件在阳光电源的高功率密度产品研发中具有重要战略意义。随着户用光伏逆变器和小型储能PCS向轻量化、高频化发展,GaN的应用能显著降低开关损耗并缩小磁性元件体积。本文提出的死区时间优化模型,可直接指导阳光电源研发团队在设计高频DC-DC变换级(如户用光伏及充电桩模块)时,通过精确控制死区来抑制G...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

共源共栅GaN HEMT在非钳位感性开关下的鲁棒性

Robustness of Cascode GaN HEMTs in Unclamped Inductive Switching

Qihao Song · Ruizhe Zhang · Joseph Kozak · Jingcun Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

浪涌能量鲁棒性对汽车动力总成和电网等应用至关重要。与SiSiC MOSFET不同,GaN HEMT缺乏雪崩能力,主要依靠过压能力承受浪涌能量。本文对共源共栅GaN HEMT在非钳位感性开关(UIS)条件下的浪涌能量鲁棒性进行了全面研究。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及电动汽车充电桩领域对高功率密度和高效率的需求日益增长,GaN器件的应用潜力巨大。本文针对GaN HEMT在UIS条件下的鲁棒性研究,为阳光电源在设计高频、紧凑型功率变换模块时提供了关键的可靠性评估依据。建议研发团队在引入GaN器件时,重点关注其过压耐受特性,并优化驱动电...

控制与算法 构网型GFM 并网逆变器 下垂控制 ★ 5.0

单电压环PI控制构网型变换器的稳定性分析与谐波滤波增强

Stability Analysis and Harmonic Filtering Enhancement of Single-Voltage-Loop PI-Controlled Grid-Forming Converters

Wenrui Li · Wenjia Si · Mowei Lu · Jingyang Fang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

构网型变换器(GFMC)因具备电压形成与频率调节能力而备受关注。相比多环控制,单电压环控制具有结构简单、动态响应快且无环路耦合等优势。本文针对单电压环控制在LCL滤波下的稳定性问题及谐波抑制能力进行了深入分析,并提出了相应的增强策略,为提升构网型设备的并网性能提供了理论支撑。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的构网型(Grid-forming)技术路线,特别是针对PowerTitan系列液冷储能系统及大型地面光伏电站的并网控制。单电压环控制策略的简化有助于降低计算资源占用,提升系统动态响应速度,这对于阳光电源在弱电网环境下的电网支撑能力至关重要。建议研发团队参考文中的谐波滤波增强...

控制与算法 PWM控制 ★ 3.0

一种基于高频信号注入的内埋式永磁同步电机无传感器控制统一解调方法

A Unified Demodulation Method for High-Frequency Signal Injection-Based IPMSM Sensorless Control

Xiang Wu · Peiqin Lu · Shuo Chen · Wen Ding 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

高频信号注入法是内埋式永磁同步电机(IPMSM)在零速和低速运行时常用的控制策略,而合理的解调方法是准确提取转子位置信息的关键。传统解调方法通常需要考虑时间延迟效应对解调信号的影响,本文提出了一种统一的解调方法以优化位置观测精度。

解读: 该技术主要应用于电机驱动控制领域。虽然阳光电源的核心业务聚焦于光伏逆变器和储能PCS,但该算法在电动汽车充电桩的功率模块电机控制、以及未来风电变流器中对永磁同步发电机的控制具有参考价值。通过优化低速下的转子位置观测精度,可提升电机驱动系统的动态响应性能与运行可靠性。建议研发团队关注该解调算法在提升系...

功率器件技术 GaN器件 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

高频谐振与软开关DC-DC变换器中氮化镓晶体管的评估

Evaluation of Gallium Nitride Transistors in High Frequency Resonant and Soft-Switching DC–DC Converters

David Reusch · Johan Strydom · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年9月

氮化镓(GaN)功率器件相比成熟的硅(Si)MOSFET,具有实现更高效率和更高开关频率的潜力。本文评估了GaN晶体管在高频谐振和软开关应用中提升效率与功率密度的能力,并通过实验进行了验证。

解读: GaN作为第三代半导体,是阳光电源提升产品功率密度和转换效率的关键技术储备。在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中,利用GaN的高频特性可显著减小磁性元件体积,从而实现更轻便的产品设计。建议研发团队关注GaN在高频软开关拓扑(如LLC)中的应用,以优化PowerStack等储能系统中的DC-DC变换模...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

硅基氮化镓高电子迁移率晶体管中的动态导通电阻:起源、依赖性及未来表征框架

Dynamic on-Resistance in GaN-on-Si HEMTs: Origins, Dependencies, and Future Characterization Frameworks

Grayson Zulauf · Mattia Guacci · Johann W. Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月

本文探讨了GaN HEMT器件中存在的动态导通电阻(dRon)现象,即器件开启瞬间的导通电阻高于直流稳态值。该现象会导致传导损耗显著增加,但现有文献对其严重程度的评估存在较大差异。文章分析了dRon的物理起源与影响因素,并提出了标准化的表征框架,旨在解决行业内对该效应评估不一致的问题。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用潜力巨大。dRon效应直接影响功率模块的转换效率与热稳定性,是制约GaN在高频、高压场景下可靠应用的关键瓶颈。建议研发团队参考文中的表征框架,建立针对GaN功率模块的动态损耗评估标准,优化驱动电路设计以抑制dRo...

控制与算法 PWM控制 多电平 DC-DC变换器 ★ 4.0

多单元功率变换器的增强型单周期控制

Enhanced One-Cycle Control for Multicell Power Converters

Guidong Zhang · Siyuan Zou · Samson Shenglong Yu · Si-Zhe Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

本文提出了一种用于高增益多单元变换器的增强型单周期控制(EOCC)策略。该方法解决了传统单周期控制在负载扰动下鲁棒性差及难以应用于多单元拓扑的问题,在有效抑制输入扰动的同时,提升了系统的动态响应性能与控制精度。

解读: 该研究提出的EOCC策略在多电平及多单元变换器拓扑中具有显著的控制优势,与阳光电源的PowerTitan系列液冷储能系统及大功率组串式逆变器高度契合。随着光伏与储能系统向高压、高功率密度方向发展,多电平拓扑应用日益广泛。该控制算法能有效提升系统在复杂电网环境下的抗干扰能力和动态响应速度,建议研发团队...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于能量回馈缓冲电路的串联SiC MOSFET电压均衡控制

Voltage Balancing Control of Series-Connected SiC MOSFETs by Using Energy Recovery Snubber Circuits

Fan Zhang · Xu Yang · Wenjie Chen · Laili Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月

为实现更高阻断电压,功率开关常采用串联方式。然而,由于电压分配不均,SiC器件因其超快开关速度,串联应用面临更大挑战。本文提出了一种新型能量回馈缓冲电路拓扑,通过有效的电压均衡控制策略,解决了串联SiC MOSFET在高速开关过程中的电压应力不平衡问题。

解读: 该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进,利用SiC器件串联技术可有效提升系统功率密度并降低损耗。该能量回馈缓冲电路能解决高压下SiC器件动态均压难题,有助于优化高压功率模块设计。建议研发团队关注该拓...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

半桥配置下SiC MOSFET关断软开关动态特性分析模型

Analytical Model to Study Turn-OFF Soft Switching Dynamics of SiC MOSFET in a Half-Bridge Configuration

Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月

SiC MOSFET具有极快的开关瞬态,虽能降低开关损耗,但易引发振荡、误导通及EMI问题。本文针对软开关变换器,研究了利用外部漏源电容抑制上述负面效应的分析模型,旨在优化SiC器件在高速开关下的动态性能与可靠性。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有重要指导意义。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用已成为主流。该分析模型有助于研发团队精确评估SiC MOSFET在软开关(如LLC或移相全桥)下的关断动态,从而优化驱动电路设计,有效抑...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于LTCC的碳化硅功率模块集成电流传感器

LTCC Based Current Sensor for Silicon Carbide Power Module Integration

Peng Sun · Xiang Cui · Si Huang · Pengyu Lai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

电流传感器集成可显著提升功率模块的功率密度与可靠性。针对现有传感器难以适配碳化硅(SiC)模块的问题,本文提出了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)的低剖面、可安装电流传感器,并对其电流容量、带宽、电气绝缘及热特性进行了验证。

解读: 该技术对阳光电源的SiC功率模块应用至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进,SiC器件的应用日益广泛,但高频开关带来的电流检测难题限制了系统性能。LTCC集成电流传感器方案能够实现紧凑的电流采样,减少寄生参数,提升系统动态响应与保护精度。建议研发团队关注该传感...

系统并网技术 构网型GFM 下垂控制 储能变流器PCS ★ 5.0

基于自适应虚拟阻抗限流的构网型电压源变换器小信号建模与控制器参数整定

Small-Signal Modeling and Controller Parameters Tuning of Grid-Forming VSCs With Adaptive Virtual Impedance-Based Current Limitation

Heng Wu · Xiongfei Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月

自适应虚拟阻抗(VI)控制是限制构网型电压源变换器(GFM-VSC)在电网故障期间电流的有效方案。然而,该方法依赖于电流幅值检测,引入了非线性动态,增加了控制器参数整定的难度。本文建立了该系统的小信号模型,并提出了相应的参数整定方法。

解读: 该研究直接服务于阳光电源PowerTitan和PowerStack等储能变流器(PCS)的构网型技术升级。随着高比例可再生能源接入,电网强度降低,构网型控制已成为核心竞争力。文章提出的自适应虚拟阻抗限流技术,能够有效解决PCS在弱电网或故障工况下的过流保护与稳定性矛盾。建议研发团队将该小信号建模方法...

拓扑与电路 宽禁带半导体 功率模块 ★ 2.0

用于射频电容耦合等离子体电源的13.56-MHz零电压开关逆变器

A 13.56-MHz ZVS Inverter for Radio-Frequency Capacitively Coupled Plasma Power Supply

Si Chen · Xinbo Ruan · Ying Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月

本文提出了一种用于射频电容耦合等离子体(CCP)电源的13.56-MHz零电压开关(ZVS)逆变器。针对传统射频功率放大器(RFPA)需配备庞大匹配网络导致功率密度低及系统复杂的问题,该研究通过优化逆变拓扑,实现了高频下的高效功率转换,有效提升了系统的集成度与紧凑性。

解读: 该技术属于高频射频电源领域,虽然与阳光电源目前核心的光伏逆变器和储能PCS业务存在差异,但其核心技术点——高频ZVS软开关技术及功率密度提升方案,对阳光电源的功率电子技术储备具有参考价值。特别是针对未来高频化、小型化的电力电子产品研发,该文提出的高频拓扑优化思路可为下一代高功率密度模块的设计提供借鉴...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

具有层压铝/铜应力缓冲层的可靠铝线键合SiC/Si二极管

Reliable Aluminum Wire-Bonded SiC/Si Diodes With Laminated Al/Cu Stress Buffers

Xiao-Di Li · Guo-Quan Lu · Yun-Hui Mei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月

随着SiC功率芯片工作温度的升高,铝线键合在芯片与键合线热膨胀系数(CTE)不匹配下,热机械可靠性显著下降。本文提出了一种新型层压铝/铜软应力缓冲层,旨在缓解键合界面的热应力,提升功率模块在高温运行环境下的长期可靠性。

解读: 该技术直接关联阳光电源的核心产品线,特别是组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中的功率模块封装。随着阳光电源产品向高功率密度和高工作温度演进,SiC器件的应用日益广泛。该研究提出的层压Al/Cu缓冲层技术,能有效解决SiC芯片与铝线键合处的热机械疲劳问题,显著提升逆变器和...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 4.0

硅功率二极管中子诱发单粒子烧毁的观测与分析

Observation and Analysis of Neutron-Induced Single-Event Burnout in Silicon Power Diodes

Tomoyuki Shoji · Shuichi Nishida · Kimimori Hamada · Hiroshi Tadano · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月

本文利用切片观察技术研究了硅功率二极管中子诱发的单粒子烧毁(SEB)现象,揭示了环形微孔的形成机制。通过热扩散方程推导了SEB过程中局部温升的解析公式,证实了损伤区域的轴对称性源于各向同性的热扩散,为功率器件在极端环境下的可靠性评估提供了理论依据。

解读: 功率器件的可靠性是阳光电源逆变器及储能系统(如PowerTitan、ST系列PCS)的核心竞争力。SEB现象在户外高海拔或极端环境下对硅基功率器件构成潜在威胁。本文提出的热扩散分析方法及损伤观测技术,可指导阳光电源研发团队在器件选型、功率模块封装设计及散热优化中,更精准地评估器件在辐射环境下的鲁棒性...

控制与算法 电动汽车驱动 功率模块 ★ 3.0

基于线性霍尔传感器的永磁同步电机驱动高精度转子位置检测

High-Precision Rotor Position Detection for High-Speed Surface PMSM Drive Based on Linear Hall-Effect Sensors

Xinda Song · Fang Jiancheng · Han Bangcheng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年1月

准确的转子位置检测对于表贴式永磁同步电机(SPMSM)系统的稳定运行至关重要。本文利用两个线性霍尔传感器进行转子位置检测,并重点解决了测量信号中谐波分量对转子角度估计精度的影响,旨在提升高速电机驱动系统的控制性能。

解读: 该技术主要针对高性能电机驱动控制,与阳光电源的电动汽车充电桩及相关电力电子驱动模块业务具有一定的技术关联性。在高速电机驱动场景下,高精度的位置检测算法能够显著提升电机运行效率并降低转矩脉动。建议研发团队关注该算法在低成本传感器配置下的鲁棒性表现,这有助于优化公司在电机控制驱动领域的底层算法库,提升充...

拓扑与电路 多电平 并网逆变器 储能变流器PCS ★ 4.0

一种基于二极管钳位模块化多电平变换器的新型静止同步补偿器

A Novel STATCOM Based on Diode-Clamped Modular Multilevel Converters

Xiangdong Liu · Jingliang Lv · Congzhe Gao · Zhen Chen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年8月

本文提出了一种基于二极管钳位模块化多电平变换器(DCM2C)的新型静止同步补偿器(STATCOM)。该拓扑通过在每个子模块中使用低功率额定二极管实现电容电压钳位,显著减少了电压传感器数量,且与电平数无关,简化了电压平衡控制。

解读: 该研究提出的DCM2C拓扑在减少传感器数量和简化电压平衡控制方面具有显著优势,对阳光电源的高压大功率储能系统(如PowerTitan系列)及大型地面光伏电站的并网技术具有重要参考价值。随着光储系统向更高电压等级和更高功率密度发展,该拓扑可降低系统硬件成本并提升控制可靠性。建议研发团队关注该拓扑在ST...

系统并网技术 单相逆变器 并网逆变器 跟网型GFL ★ 4.0

基于延迟信号消除

DSC)的先进单相锁相环

Saeed Golestan · Josep M. Guerrero · Juan C. Vasquez · Abdullah M. Abusorrah 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月

在三相系统中,延迟信号消除(DSC)算子是设计先进锁相环(PLL)的主流方法,具有极强的抗扰动能力。本文旨在将该技术推广至单相系统,开发先进的单相DSC-based PLL,以提升单相并网逆变器在复杂电网环境下的同步精度与稳定性。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能变流器(PCS)具有重要意义。在弱电网或电网电压畸变严重的工商业/户用场景下,传统的单相锁相环往往难以维持同步稳定性。引入DSC算子可显著提升逆变器对电网谐波和电压跌落的抗干扰能力,增强产品在复杂电网环境下的并网适应性。建议研发团队在iSolarCloud智...

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