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一种集成液冷基板嵌入式碳化硅功率模块
A Novel Substrate-Embedded SiC Power Module With Integrated Liquid Cooling
Xinnan Sun · Min Chen · Jie Li · Fengze Hou 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
为充分发挥碳化硅（SiC）器件优势，本文提出一种集成液冷基板嵌入式SiC功率模块。该模块将四颗1.2kV SiC MOSFET嵌入有机基板，通过直接键合微通道散热器进行冷却，封装尺寸仅为20mm×20mm×2.4mm。该设计实现了极短的电气互连，显著降低了寄生参数并提升了散热性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的战略价值。在光伏组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，功率密度和散热能力是提升竞争力的关键。嵌入式封装与微通道液冷技术能有效降低寄生电感，提升开关频率，从而减小磁性元件体积，助力产品向更高功率密度演进。建议研发团队关注该...
电动汽车锂离子电池过放电的数据驱动故障诊断
Data-Driven Fault Diagnosis of Lithium-Ion Battery Overdischarge in Electric Vehicles
Naifeng Gan · Zhenyu Sun · Zhaosheng Zhang · Shiqi Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月
过放电会严重缩短锂离子电池寿命。本文提出一种数据驱动方法，旨在检测电池电压低于截止电压的过放电状态，从而预防电池损坏。该研究对于提升电池管理系统（BMS）的安全性与可靠性具有重要意义。
解读: 该研究对于阳光电源的储能业务（如PowerTitan、PowerStack及户用储能系统）具有极高的应用价值。过放电保护是BMS的核心功能，通过引入数据驱动的故障诊断算法，可以显著提升系统在极端工况下的安全性，延长电池组使用寿命。建议将此类机器学习算法集成至iSolarCloud智能运维平台，通过云...
基于直流电流注入的多相驱动器开相/开关故障容错控制优化研究
Optimal Fault-Tolerant Control of Multiphase Drives Under Open-Phase/Open-Switch Faults Based on DC Current Injection
Jiawei Sun · Zedong Zheng · Chi Li · Kui Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
本文研究了多相驱动器在开相及开关故障下的容错控制策略。针对现有研究多集中于开相故障，本文重点探讨了仅单开关管失效而反并联二极管正常工作的开关故障场景，提出了一种基于直流电流注入的优化容错控制方法，旨在提升电力电子变换器在极端工况下的运行可靠性。
解读: 该研究提出的容错控制算法对提升阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能变流器）的可靠性具有重要参考价值。在大型光伏电站或储能电站中，功率模块的单管失效往往会导致整机停机，影响系统可用性。通过引入直流电流注入等容错控制技术，可以在硬件冗余有限的情况下，通过软件算法实现故障后的降额运行...
共源共栅GaN HEMT短路失效机理研究
Exploring Short-Circuit Failure Mechanism of Cascode GaN HEMT
Sheng Li · Qinhan Wang · Weihao Lu · Leke Wu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
本文通过仿真分析与实验验证，深入揭示了共源共栅（Cascode）氮化镓器件在单脉冲短路事件下的失效机理。研究发现了一种独特的“恢复”失效现象，并明确了器件内部两个主要的烧毁区域：栅极指状结构包围的漏极拐角处及其他关键区域。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用潜力巨大。本文揭示的Cascode GaN短路失效机理及“恢复”现象，对于优化逆变器功率模块的驱动电路设计、短路保护策略及热管理方案具有重要参考价值。建议研发团队在后续高频化产品设计中，重点关注GaN器件在极端工况...
1200V沟槽型SiC MOSFET重复雪崩应力下的失效机理研究
Investigation of Failure Mechanisms of 1200 V Rated Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Avalanche Stress
Xiaochuan Deng · Wei Huang · Xu Li · Xuan Li 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月
本文通过实验研究了非对称沟槽（AT）和双沟槽（DT）结构碳化硅（SiC）MOSFET的重复雪崩耐受能力。研究揭示了不同结构的失效机理：AT-MOSFET主要表现为热诱导疲劳或场氧化层击穿，而DT-MOSFET则表现为电场诱导的栅氧化层退化或击穿。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能PCS实现高功率密度和高效率的核心器件。1200V SiC器件在复杂工况下的雪崩耐受能力直接决定了系统的可靠性。本文揭示的AT与DT结构失效机理，对阳光电源在器件选型、驱动电路保护设计及功率模块封装优化具有重要指导意义。建议研发...
一种具有高旋转偏移容忍度的新型无人机无线充电磁耦合器
A New Magnetic Coupler With High Rotational Misalignment Tolerance for Unmanned Aerial Vehicles Wireless Charging
Yong Li · Wenjun Sun · Junjiang Liu · Yuhang Liu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月
本文提出了一种用于无人机（UAV）无线充电的新型磁耦合器，具备高旋转偏移容忍度。发射端由串联的内外环形线圈组成，可在充电范围内产生水平方向的磁场。该设计旨在有效提升无人机在着陆位置不精确时的能量传输效率，优化无线充电系统的空间适应性。
解读: 该技术主要针对无线电能传输（WPT）领域，虽然目前阳光电源的核心业务集中在光伏、储能及地面/工商业充电桩，但该磁耦合器的高偏移容忍度设计思路对未来电动汽车（EV）无线充电产品的研发具有参考价值。建议关注其磁场分布优化算法，以提升公司在电动汽车充电桩产品线中的技术储备，探索未来在无人机巡检设备补能或高...
一种降低分裂电容四线电流源逆变器漏电流的调制方案
A Modulation Scheme to Reduce Leakage Current of Split-Capacitor Four-Wire Current Source Inverter
Xin Li · Yao Sun · Li Jiang · Shiming Xie 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月
无变压器分裂电容四线电流源逆变器在抑制漏电流方面具有优势，但其效果受中性线阻抗及共模电压影响。针对实际应用中中性线阻抗非零导致漏电流无法完全消除的问题，本文提出了一种新型调制方案，旨在进一步抑制漏电流，提升系统电磁兼容性。
解读: 该研究针对无变压器拓扑中的漏电流抑制问题，对阳光电源的组串式逆变器及户用光伏逆变器产品线具有重要的参考价值。随着光伏系统对安规要求（如漏电流限制）的日益严格，该调制方案可优化逆变器在复杂电网环境下的共模噪声表现，提升产品可靠性。建议研发团队评估该调制策略在三相四线制并网场景下的实现难度，并考虑将其集...
用于变电站单源多负载系统的低压晶闸管多端口直流断路器
Low-Voltage Thyristor Based Multi-Port DC Breaker for Single-Source Multi-Loads System in Substation
Weijie Wen · Chenyang Li · Qingyao Sun · Hezhi Jin 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月
针对变电站二次测量与控制设备的低压直流供电系统，传统空气断路器（ACB）响应时间长（≥10ms），难以保证选择性保护。本文提出一种基于低压晶闸管的多端口直流断路器，旨在缩短故障响应时间，缩小停电范围，提升系统供电可靠性。
解读: 该技术主要针对直流配电与保护领域，虽然阳光电源的核心业务为光伏与储能，但该断路器技术对提升直流侧故障隔离速度具有参考价值。在阳光电源的iSolarCloud智能运维平台及工商业储能系统（如PowerStack）中，直流侧的快速故障切除与保护是提升系统安全性的关键。该研究中关于晶闸管快速关断的思路，可...
更正：综合分析与优化集成太阳能热能及储热的冷热电联产系统
Comprehensive analysis and optimization of combined cooling heating and power system integrated with solar thermal energy and thermal energy storage）［Energy Conv. Manag. 275 (2022) 116464］
Lanhua Liu · Ruilin Wang · Yuhao Wang · Wenjia Li 等9人 · Energy Conversion and Management · 2025年2月 · Vol.325
作者对原文致谢部分出现的错误表示歉意。致谢部分中提到的第一个国家自然科学基金委员会（NSFC）资助项目的编号应为“52106014”，而非“5210060338”。作者对由此造成的任何不便深表歉意。
解读: 该CCHP系统与太阳能热能及储能集成研究虽为勘误说明,但原文涉及的冷热电联供与储能优化技术对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan系统具有重要参考价值。多能互补系统的能量管理策略可启发我们优化储能系统在工商业场景的冷热电协同控制算法,提升iSolarCloud平台对综合能源系统的智能调度能...
一种利用非同源谐振线圈消除无线电能传输中频率分裂的方法
A Method of Using Nonidentical Resonant Coils for Frequency Splitting Elimination in Wireless Power Transfer
Yue-Long Lyu · Fan-Yi Meng · Guo-Hui Yang · Bang-Jun Che 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年11月
本文提出了一种消除磁耦合谐振式无线电能传输中频率分裂现象的高效方法。通过采用两个非同源谐振线圈（NIRCs）分别作为发射端和接收端，利用互感函数解析表达式中的椭圆积分项，有效抑制了频率分裂，提升了传输效率与稳定性。
解读: 该技术主要针对无线电能传输（WPT）领域，虽然目前阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器、储能系统及有线充电桩，但无线充电技术是电动汽车充电桩未来的潜在演进方向。通过非同源谐振线圈消除频率分裂，有助于提升无线充电系统的功率传输效率和抗偏移能力。建议研发团队关注该技术在未来高功率密度、高效率无线充电桩产品...
具有漏电流抑制能力的四线制分体电容电流源逆变器拓扑与控制
Topology and Control of a Split-Capacitor Four-Wire Current Source Inverter With Leakage Current Suppression Capability
Yao Sun · Yonglu Liu · Mei Su · Hua Han 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年12月
本文提出了一种四线制分体电容电流源逆变器，作为分体电容电压源逆变器的对偶电路。通过将直流链路中点与交流滤波电容中性点连接，显著降低了共模电压（CMV），从而有效解决了漏电流问题。该拓扑结构具有成本效益优势。
解读: 该研究提出的分体电容拓扑在抑制漏电流方面具有显著优势，对阳光电源的组串式光伏逆变器产品线具有参考价值。在户用及工商业光伏应用中，漏电流是影响系统安全与认证的关键指标，该拓扑通过电路结构优化而非复杂的软件补偿来降低共模电压，有助于提升逆变器在高湿度环境下的运行可靠性。建议研发团队评估该电流源逆变器拓扑...
一种低寄生电感与低热阻的倒装嵌入式SiC功率模块设计与评估
Design and Evaluation of a Face-Down Embedded SiC Power Module With Low Parasitic Inductance and Low Thermal Resistance
Xinnan Sun · Min Chen · Bodong Li · Fengze Hou 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年3月
本文提出了一种用于高频、高温应用场景的嵌入式碳化硅（SiC）功率模块。通过采用倒装结构及铜连接块，显著降低了寄生电感并提升了散热性能。仿真结果表明，该设计有效优化了开关特性，为提升功率密度提供了技术路径。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS中，高频化与高功率密度是核心竞争力。倒装嵌入式SiC模块能显著降低开关损耗和寄生电感，有助于减小磁性元件体积，提升整机效率。建议研发团队关注该封装技术在下一代高压、大电流PCS产品中的应用，以解决高频化带来的散...
基于Filippov方法的不同移相策略下串联电容Buck变换器稳定性分析
Stability Analysis of Series-Capacitor Buck Converters With Different Phase Shift Strategies via Filippov's Method
Haihong Wang · Yao Sun · Jianheng Lin · Zixi Liu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
本文研究了串联电容Buck变换器（SCBC）中两种常用的调制延迟方法：载波移相（CPS）和开关信号移相（SSPS）。利用基于Filippov的稳定性分析方法，推导了包含移相效应的闭式单值矩阵，揭示了SCBC在不同移相策略下的非线性行为及稳定性特征。
解读: 该研究涉及的高频DC-DC变换拓扑及移相控制策略，对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）中的DC-DC级设计具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升，串联电容技术在降低器件电压应力、提升转换效率方面优势显著。通过Filippov方法进行稳定性分析，有助于优化阳光电源产品在复杂工况下的控制...
用于摩擦纳米发电机能量收集的SSHI整流器
An SSHI Rectifier for Triboelectric Energy Harvesting
Xian Li · Ye Sun · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月
本文首次报道了一种基于电感同步开关收集（SSHI）技术的摩擦纳米发电机（TENG）整流器。TENG作为一种新兴的机械能收集技术，在将机械能转换为电能方面展现出巨大潜力。该研究提出的SSHI整流电路旨在优化TENG的能量提取效率，为微能源收集领域提供了新的电路拓扑解决方案。
解读: 该文献研究的SSHI技术主要针对微瓦级、高阻抗的摩擦纳米发电机能量收集，与阳光电源目前的大功率光伏逆变器、储能PCS及风电变流器等核心产品线在功率等级和应用场景上存在较大差异。虽然SSHI的同步开关控制思想在提升能量转换效率方面具有学术参考价值，但短期内难以直接应用于阳光电源现有的电力电子产品。建议...
650V p-GaN HEMT单脉冲非钳位电感开关
UIS）失效机理与分析
Siyang Liu · Sheng Li · Chi Zhang · Ningbo Li 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月
本文首次揭示了肖特基栅极p-GaN HEMT在单脉冲非钳位电感开关（UIS）下的耐受物理机制与失效机理。与Si/SiC器件不同，p-GaN HEMT通过将负载电感的能量存储在输出电容中来承受浪涌电流，而非通过雪崩击穿。
解读: GaN器件凭借高开关频率和高效率，是阳光电源未来提升户用光伏逆变器及小型化充电桩功率密度的关键技术方向。本文深入分析了p-GaN HEMT在极端工况下的UIS失效机理，对于优化逆变器功率模块的驱动电路设计、过压保护策略及可靠性评估具有重要指导意义。建议研发团队在后续高频化产品设计中，重点关注GaN器...
一种具有有源开关电感和三绕组耦合电感的全软开关高升压DC/DC变换器
A Full Soft-Switching High Step-Up DC/DC Converter With Active Switched Inductor and Three-Winding Coupled Inductor
Chao Li · Hongzhu Li · Ning Wang · Xuanjin Sun 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月
本文提出了一种基于有源开关电感和三绕组耦合电感（ASL-TWCI）的全软开关高升压DC/DC变换器。通过结合改进的开关电容单元，该拓扑在无需极端占空比或高匝数比的情况下显著提升了电压增益，有效降低了功率器件的电压应力，实现了全软开关特性，提升了变换效率。
解读: 该高升压拓扑对阳光电源的组串式光伏逆变器（如SG系列）及储能系统（如PowerTitan/PowerStack）中的DC/DC升压级具有重要参考价值。在光伏应用中，高增益特性可简化前级电路设计，提升MPPT效率；在储能PCS中，该拓扑有助于在低压电池组与高压直流母线之间实现高效能量转换。其全软开关特...
高压可控C-SenseFET的解析模型与特性研究
Analytical Model and Characteristics for High-Voltage Controllable C-SenseFET
Zehong Li · Yong Liu · Ji Wu · Zhaoji Li 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年6月
本文提出了一种描述高压C-SenseFET在线性区和饱和区导通电流的解析模型。作为一种集传感与充电功能于一体的重要器件，文章详细分析了传感比K和充电摆幅因子α两个关键参数，并提出了优化结构。该研究对提升高压功率器件的应用性能具有重要意义。
解读: C-SenseFET作为一种具备电流传感功能的功率器件，在提升功率模块集成度与控制精度方面具有显著潜力。对于阳光电源而言，该技术可应用于组串式逆变器及PowerTitan储能系统的功率模块设计中，通过集成传感功能简化驱动电路，减小PCB空间占用，并提升系统对电流采样精度的控制能力。建议研发团队关注该...
基于高纯度4H-SiC光导半导体开关的低导通电阻与高峰值电压传输效率研究
Low ON-Resistance and High Peak Voltage Transmission Efficiency Based on High-Purity 4H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch
Xun Sun · Longfei Xiao · Chongbiao Luan · Zhuoyun Feng 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月
碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体，在高性能高压器件领域具有显著优势。本文制备了沟道长度为0.5mm的平面结构4H-SiC光导半导体开关（PCSS），通过线性工作模式验证了其在微波产生及高压功率传输中的可行性与卓越性能，为下一代高功率电子器件提供了技术参考。
解读: 该研究聚焦于4H-SiC材料在高压开关领域的应用，对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能PCS向更高电压等级（如1500V及以上）和更高功率密度演进，SiC器件已成为提升系统效率的关键。PCSS技术虽目前多用于脉冲功率领域，但其对SiC材料特性的深度挖掘，有助于阳光电源在下一代高...
室温下电注入的GaN基光子晶体表面发射激光器
Room-temperature electrically injected GaN-based photonic-crystal surface-emitting lasers
Tong Xu1Meixin Feng2Xiujian Sun2Rui Xi2Xinchao Li2Shuming Zhang2Qian Sun2Xiaoqi Yu3Kanglin Xiong3Hui Yang4Xianfei Zhang5Zhuangpeng Guo5Peng Chen5 · 半导体学报 · 2025年9月 · Vol.46
光子晶体表面发射激光器（PCSELs）利用二维光子晶体的布拉格衍射实现高功率、低发散角的单模输出，近年来受到广泛关注[1-3]。2023年，京都大学报道了基于GaAs的945 nm PCSEL，在连续波（CW）工作模式下单模输出功率超过50 W，光束发散角窄至0.05°，亮度达到1 GW·cm⁻²·sr⁻¹，可与传统大体积激光器相媲美[4]。
解读: 该GaN基光子晶体表面发射激光器技术对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。虽然研究聚焦光电子领域，但其电注入结构设计、热管理方案及GaN材料的高温稳定性特性，可为ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中的GaN功率模块散热优化提供借鉴。特别是其室温连续工作能力验证了GaN器件在高功率密度应用中...
掺铍ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管的低关态电流与高电流应力稳定性
Beryllium-incorporated ScAlN/GaN HEMTs with low off-current and high current stress stability
Jie Zhang · Md Tanvir Hasan · Shubham Mondal · Zhengwei Ye · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127
本文报道了一种通过引入铍（Be）掺杂来提升ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）性能的新方法。该器件展现出显著降低的关态漏电流，并在高电流应力条件下表现出优异的稳定性。通过精确调控Be掺杂浓度，有效抑制了栅极泄漏电流和动态导通电阻退化，同时保持良好的开态特性。透射电子显微镜与二次离子质谱分析证实了材料界面清晰且掺杂均匀。该研究为高性能GaN基功率器件的可靠性提升提供了可行路径。
解读: 该掺铍ScAlN/GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。低关态漏电流特性可直接降低ST系列储能变流器和SG光伏逆变器的待机损耗，提升系统效率；高电流应力稳定性解决了GaN器件在PowerTitan大型储能系统长期运行中的可靠性痛点。相比传统AlGaN方案，ScAlN材料的高极化特性...
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