高压可控C-SenseFET的解析模型与特性研究

Analytical Model and Characteristics for High-Voltage Controllable C-SenseFET

作者	Zehong Li · Yong Liu · Ji Wu · Zhaoji Li · Yaming Lai · Xunyi Song · Chongwen Sun · Min Ren · Jinping Zhang · Wei Gao · Bo Zhang
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2016年6月
技术分类	功率器件技术
技术标签	功率模块宽禁带半导体
相关度评分	★★★★ 4.0 / 5.0
关键词	C-SenseFET 解析模型高压感测比充电摆幅因子电力电子器件建模

语言:

中文摘要

本文提出了一种描述高压C-SenseFET在线性区和饱和区导通电流的解析模型。作为一种集传感与充电功能于一体的重要器件，文章详细分析了传感比K和充电摆幅因子α两个关键参数，并提出了优化结构。该研究对提升高压功率器件的应用性能具有重要意义。

English Abstract

An analytical model is proposed to describe the on-state current in linear and saturation regions for the high-voltage C-SenseFET. As C-SenseFET is an important sensing and charging integrated device, two key parameters–-sensing ratio K and charging swing factor α are analyzed in detail and some optimizational structures are provided. For the practical application of C-SenseFET, K and α are requir...

SunView 深度解读

C-SenseFET作为一种具备电流传感功能的功率器件，在提升功率模块集成度与控制精度方面具有显著潜力。对于阳光电源而言，该技术可应用于组串式逆变器及PowerTitan储能系统的功率模块设计中，通过集成传感功能简化驱动电路，减小PCB空间占用，并提升系统对电流采样精度的控制能力。建议研发团队关注该器件在高压环境下的可靠性表现，评估其在提升逆变器功率密度及降低系统成本方面的应用潜力，特别是在追求小型化、高效率的下一代户用光伏及储能变流器产品中的适配性。