找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
电动汽车驱动 SiC器件 模型预测控制MPC ★ 5.0

基于脉冲模式优化辅助的模型预测控制用于碳化硅永磁同步电机驱动以同时降低共模和差模电压

Pulse Pattern Optimization-Assisted MPC for SiC-Based PMSM Drives to Reduce Both Common-Mode and Differential-Model Voltages

Chenwei Ma · Yunqiang Wu · Wensheng Song · Jiayao Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

随着碳化硅(SiC)功率器件在永磁同步电机(PMSM)驱动系统中的应用,电机侧的电压过冲问题变得更加突出。在模型预测控制(MPC)框架内,一些策略已考虑降低共模电压(CMV)。然而,基于模型预测控制的碳化硅永磁同步电机驱动系统的差模电压(DMV)降低问题尚未得到充分研究。因此,本文提出一种改进的模型预测控制方法,用于同时降低基于碳化硅的永磁同步电机驱动系统的共模电压和差模电压。为避免额外的硬件配置,本研究从电压矢量脉冲模式优化的角度入手。在所提出的方法中,根据调制指数设计了两组脉冲模式,充分考虑...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对碳化硅(SiC)功率器件在永磁同步电机驱动系统中的模型预测控制(MPC)优化技术具有重要的应用价值和战略意义。 在技术层面,该研究同时解决共模电压(CMV)和差模电压(DMV)过冲问题,这与我司在光伏逆变器、储能变流器及新能源汽车驱动系统中面临的核心挑战高度契合。...

光伏发电技术 储能系统 ★ 5.0

用于光伏变换器耦合谐波抑制的自适应参数调谐与虚拟阻抗注入控制

Adaptive Parameter Tuning and Virtual Impedance Injection Control for Coupled Harmonic Mitigation of Photovoltaic Converter

Pengbo Shan · Yuanyuan Sun · Yuanzong Song · Fan Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

抑制电流谐波是光伏(PV)系统的一个关键问题。等效阻抗或导纳可用于描述光伏变流器(PVC)与电网背景谐波之间的相互作用,其中控制策略和参数在这一过程中起着至关重要的作用。目前,多频率耦合特性在谐波分析中变得愈发重要,而传统的选择性谐波抑制方法效果欠佳。解决该问题的关键在于根据电网条件构建用于耦合谐波抑制的自适应控制器。因此,本文首先构建了光伏变流器的谐波耦合矩阵模型(HCMM),以描述谐波耦合特性,该模型能够同时体现拓扑结构和控制参数的影响。其次,分析了关键控制器参数和虚拟阻抗法对谐波耦合矩阵模...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于谐波耦合矩阵模型的自适应控制技术具有重要的战略价值。随着全球光伏装机容量持续增长,电网背景谐波污染日益严重,传统选择性谐波抑制方法在多频耦合场景下表现不足,已成为制约光伏逆变器并网性能的关键瓶颈。 该技术的核心创新在于构建了能够同时表征拓扑结构和控制参数影响的谐波...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

通过瞬态热表征理解短路应力下GaN HEMT位错缺陷的作用

Understanding the Role of Dislocation Defects of GaN HEMT under Short-Circuit Stress Through Transient Thermal Characterization

Xi Jiang · Yue Wu · Song Yuan · Xiangdong Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

摘要:氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在高母线电压条件下承受反复短路(SC)应力后容易迅速失效。衬底界面处的位错缺陷在引发器件退化和热击穿失效方面起着关键作用。然而,短路应力下位错缺陷的形成机制及其对氮化镓高电子迁移率晶体管短路能力的影响仍不明确。本文提出一种基于瞬态热阻表征的新方法,用于监测氮化镓高电子迁移率晶体管器件内部位错缺陷的演变。同时,建立了一个热模型来阐明位错缺陷对器件热特性的影响。通过分析短路应力前后氮化镓高电子迁移率晶体管的结构函数,将先前难以察觉的缺陷累积转化...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于GaN HEMT器件短路应力下位错缺陷演化的研究具有重要的战略价值。GaN功率器件因其高开关频率、低导通损耗和高功率密度特性,正逐步成为我司光伏逆变器和储能变流器的核心功率开关选择,特别是在高压大功率应用场景中。 该研究揭示的位错缺陷累积机制直接关系到产品可靠性这...