找到 38 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
桥臂电路中同步SiC MOSFET体二极管引起的负偏置阈值电压不稳定性
Body Diode Induced Negative-Bias Vth Instability of Synchronous SiC MOSFET in Bridge-Leg Circuit
Peixuan Wang · Yunhong Lao · Youyi Yin · Meng Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
本文报道了桥臂电路中同步SiC MOSFET因体二极管引起的负偏置阈值电压(Vth)不稳定性。在反向恢复阶段,体二极管注入的空穴向源极/栅极侧移动,部分空穴轰击栅氧化层,导致栅氧化层缺陷/陷阱产生,进而引起Vth漂移。
解读: 该研究直接关系到阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中SiC功率模块的长期可靠性。随着公司产品向高功率密度、高开关频率演进,SiC器件的应用日益广泛。该文揭示的体二极管反向恢复导致的Vth漂移机制,对公司在高温、高频工况下的驱动电路设计及栅极保护策略具有重要指导意义。建...
一种基于内置NTC传感器的SiC功率模块多芯片结温估计AI新方法
A Novel Artificial Intelligence-Enabled Junction Temperature Estimation Method for Multiple Chips in a SiC Power Module Based on an Inherent Built-in NTC Sensor
Zhewei Zhang · Laili Wang · Jin Zhang · Yi Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
结温是SiC功率模块监测的关键参数。针对现有非侵入式结温估计方法在处理多芯片热耦合及复杂工况时精度与分辨率不足的问题,本文提出了一种基于人工智能的创新结温估计方法,有效提升了多芯片模块的温度监测精度。
解读: 该技术对于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统至关重要。随着SiC器件在高性能逆变器和PCS中的广泛应用,多芯片热耦合导致的结温不均是影响系统可靠性的核心挑战。该AI方法利用内置NTC传感器实现高精度结温估计,可直接集成于iSolarCloud智能运维平台,实现...
一种用于直流微电网的低损耗动态可重构电池拓扑
A Low-Loss Dynamically Reconfigurable Battery Topology for DC Microgrid Applications
Jin Zhu · Zhicheng Liu · Xu Yang · Lixin Wu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
动态可重构电池(DRB)技术能有效解决储能系统中的不平衡问题,但其所需的额外开关会引入显著损耗。本文提出了一种适用于直流微电网的DRB拓扑,旨在通过优化电路结构进一步降低开关损耗,提升系统整体效率。
解读: 该技术对于阳光电源的PowerTitan和PowerStack系列储能系统具有重要参考价值。目前大型储能系统面临电池簇间不一致性导致的容量衰减和效率损失问题,DRB技术通过动态重构可实现电池组的高效均衡,延长系统寿命。建议研发团队关注该拓扑在模块化储能单元中的应用,通过降低开关损耗提升PCS的整体转...
由单个GaN HEMT控制并联SiC JFET构建的1200V/22mΩ常闭型SiC/GaN共源共栅器件的静态与动态特性
Static and Dynamic Characteristics of a 1200-V/22 -mΩ Normally-Off SiC/GaN Cascode Device Built With Parallel-Connected SiC JFETs Controlled by a Single GaN HEMT
Gang Lyu · Jiahui Sun · Jin Wei · Kevin J. Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月
本文提出了一种SiC-JFET/GaN-HEMT混合功率开关。通过单个低压增强型GaN-HEMT控制多个并联的高压1200V SiC-JFET,实现了共源共栅(Cascode)配置下的电流容量扩展,且仅需一套驱动电路,简化了高功率密度变换器的设计。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统具有重要价值。通过SiC与GaN的混合封装,可有效提升1200V电压等级下的功率密度与开关效率,降低系统损耗。建议研发团队关注该共源共栅结构在多路并联应用中的均流特性与热管理,这有助于进一步缩小逆变器与PCS模块的体积,提升整机效率,特别是...
一种新型宽范围升降压三电平LCC谐振变换器作为能量链路
A Novel Bidirectional Wider Range of Boost-Buck Three-Level LCC Resonant Converter as an Energy Link
Zhongyi Zhang · Xiaosen Xiao · Wei You · Haibin Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月
本文提出了一种新型双向宽范围升降压三电平LCC谐振变换器,旨在解决新能源行业中前后级直流母线电压等级不匹配的问题。该拓扑通过将LCC谐振槽模块与特定的三电平耦合级联中点钳位有源桥相结合,实现了更宽的电压增益范围和高效的能量双向传输。
解读: 该拓扑对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)具有极高的应用价值。储能PCS的核心在于直流侧电压调节与双向功率变换,该三电平LCC谐振方案能有效提升变换效率,并适应电池组电压随SOC变化而产生的宽范围波动。三电平结构有助于降低开关器件的电压应力,从而支持更高电压等级的...
超快dv/dt方波脉冲下功率模块的局部放电行为
Partial Discharge Behaviors in Power Modules Under Square Pulses With Ultrafast dv/dt
Haoyang You · Zhuo Wei · Boxue Hu · Zheng Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
宽禁带半导体器件的高速开关特性可能改变功率模块、母排及负载的局部放电(PD)特性。本文针对超快dv/dt方波脉冲下的PD行为进行了研究,重点分析了不同沟槽间距的直接键合铜(DBC)样品的放电特性,为高频功率变换系统的绝缘设计提供了理论依据。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体器件,高频化带来的超快dv/dt对功率模块绝缘性能提出了严峻挑战。本文研究的局部放电行为直接关系到高压功率模块的长期可靠性与寿命。建议研发团队在设计高功率密度产品时,参考该研究优化DBC布局与绝缘结构,以规避高频...
一种具有更好电压平衡能力的半桥三电平DC/DC变换器交错PWM方法
An Interleaved PWM Method With Better Voltage-Balancing Ability for Half-Bridge Three-Level DC/DC Converter
Wei Liu · Han Jin · Wenxi Yao · Zhengyu Lu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月
三电平(TL)变换器因其开关电压应力仅为输入电压的一半,广泛应用于高压领域。为确保其正常运行,输入分压电容和阻断电容的电压平衡至关重要。本文针对实际电路及驱动电路不对称导致的电压不平衡问题,提出了一种改进的交错PWM控制方法,有效提升了变换器的电压平衡能力。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能变流器(PCS)产品线具有重要参考价值。在光伏组串式逆变器(如SG系列)和储能系统(如PowerTitan/PowerStack)中,三电平拓扑常用于提升效率和功率密度。该交错PWM方法能有效解决分压电容电压不平衡的痛点,提高系统在复杂工况下的可靠性。建议研发团队...
最大化650V p-GaN栅极HEMT性能:动态导通电阻表征与电路设计考量
Maximizing the Performance of 650-V p-GaN Gate HEMTs: Dynamic RON Characterization and Circuit Design Considerations
Hanxing Wang · Jin Wei · Ruiliang Xie · Cheng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年7月
本文系统表征了650V/13A增强型p-GaN栅极功率晶体管。重点评估了静态与动态(开关)条件下的导通电阻(RON)和阈值电压(VTH)。研究发现动态RON对栅极驱动电压(VGS)的依赖性与静态RON存在显著差异,为高频高效电力电子变换器的设计提供了关键参考。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统(如PowerStack)中对高功率密度和高效率的需求日益增加,GaN器件的应用已成为技术演进的关键。本文对650V p-GaN器件动态RON的深入表征,直接指导了高频开关电路的设计与驱动优化,有助于降低逆变器损耗并缩小体积。建议研发团队在下一代高频组串式...
基于广义分布函数与Preisach模型的磁性元件磁滞建模及高效参数辨识
Hysteresis Modeling of Magnetic Components With Generalized Distribution Function and Efficient Parameter Identification Based on Preisach Model
Zhan Shen · Lexing Zhang · Shunshun Ma · Kaiyuan Liu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
软磁材料广泛应用于电力电子变换器的磁性元件中。其磁滞效应导致磁芯呈现非线性阻抗特性,进而引发损耗增加、波形畸变及电磁干扰问题。本文针对磁性材料的非线性行为,提出了一种基于广义分布函数的Preisach磁滞建模方法,并实现了高效的参数辨识,为优化变换器磁性元件设计提供了理论支持。
解读: 磁性元件(电感、变压器)是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)的核心部件。该研究提出的高精度磁滞建模与参数辨识方法,能有效提升磁性元件在复杂工况下的损耗预测精度,有助于优化磁芯设计,从而提升逆变器与PCS的整机效率。此外,该方法在减少电磁干...
基于双向器件的多端口固态断路器拓扑
Multiport Solid-State Circuit Breaker Topology Based on Bidirectional Devices
Jin Zhu · Hao Yang · Xu Yang · Songming He 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
固态断路器(SSCB)具备响应快、无电弧、寿命长等优势,适用于直流配电系统保护。然而,在多端口场景下,传统SSCB拓扑存在器件数量多、体积大、导通损耗高及成本增加等问题。本文提出了一种基于双向器件的多端口SSCB拓扑,旨在优化系统集成度与效率。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及直流微电网解决方案具有重要参考价值。随着储能系统向高压直流化发展,多端口直流保护的需求日益增长。该拓扑通过减少器件数量降低损耗,有助于提升阳光电源储能PCS的功率密度和系统可靠性。建议研发团队关注该拓扑在直流汇流排保护中的应...
一种用于光伏中压直流
MVDC)集成的模块化单级IIOS电压平衡拓扑
Chengsong Wei · Xiaoquan Zhu · Ke Jin · Yue Wu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
模块化输入独立输出串联(IIOS)DC-DC变换器因其单级功率转换、低成本和高效率,广泛应用于光伏中压直流(MVDC)集成。然而,光伏输入功率的不匹配会导致子模块输出电压不平衡。本文提出了一种新型拓扑,旨在解决光伏功率失配带来的电压平衡问题,提升系统整体可靠性与转换效率。
解读: 该研究针对光伏中压直流(MVDC)集成场景,通过优化模块化拓扑解决功率失配下的电压平衡问题,这对阳光电源的组串式逆变器及大型地面电站解决方案具有重要参考价值。随着光伏系统向更高电压等级(如1500V及以上)演进,该拓扑有助于提升系统集成度与效率。建议研发团队关注该电压平衡控制策略,以优化大功率组串式...
考虑电解槽温度变化特性的离网氢电耦合系统功率管理
Power Management for Off-Grid Hydrogen-Electric Coupling System Considering Electrolyzer Temperature-Varying Characteristics
Yanghong Xia · Haoran Cheng · Jin Wang · Wei Wei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月
本文针对碱性电解槽(AWE)在离网制氢系统中因升温缓慢导致启动延迟、可再生能源利用率低的问题,提出了一种功率管理策略。该方法通过优化功率分配,有效解决了电解槽温度上升期的能源浪费,提升了离网氢电耦合系统的整体运行效率。
解读: 该研究关注离网场景下的氢电耦合与功率管理,与阳光电源的“光储氢”一体化战略高度契合。针对电解槽温度特性进行功率优化,可直接应用于PowerTitan等储能系统与制氢电源的协同控制中。建议研发团队将此温控动态模型集成至iSolarCloud平台,通过预测性功率调度提升系统在极端离网环境下的能源利用率,...
具有软重合闸能力的多端口晶闸管直流固态断路器
Multiport Thyristor-Based DC Solid-State Circuit Breaker With Soft Reclosing Capability
Jin Zhu · Songming He · Qingpeng Zeng · Xu Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
本文提出了一种新型基于晶闸管的直流固态断路器(T-SSCB)拓扑,旨在解决直流微电网中多端口场景下辅助器件(如电容、MOV等)成本过高的问题。该拓扑通过优化电路结构,实现了低损耗、低成本的故障切除,并具备软重合闸功能,有效提升了直流配电系统的保护性能与经济性。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及直流微电网解决方案具有重要参考价值。随着直流侧电压等级的提升,直流侧故障保护是系统安全的核心。该拓扑通过减少辅助器件数量降低了成本,且具备软重合闸功能,可显著提升阳光电源储能变流器(PCS)在直流侧短路保护的可靠性与响应速度...
一种具有集成能量吸收支路的新型多端口固态断路器概念
A Novel Multi-Port Solid-State Circuit Breaker Concept With Integrated Energy Absorbing Branch
Jin Zhu · Qingpeng Zeng · Songming He · Xu Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
针对直流微电网中多端口系统使用固态断路器(SSCB)导致导通损耗和成本增加的问题,本文提出了一种新型多端口SSCB(M-SSCB)概念。通过将能量吸收支路(EAB)集成化,有效减少了组件数量,在保证高效关断的同时,降低了系统成本与损耗,适用于直流配电与微电网保护。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及直流微电网解决方案具有重要参考价值。随着直流侧电压等级提升,直流侧保护成为关键痛点。该多端口SSCB方案通过集成化设计降低了损耗与成本,可优化阳光电源储能变流器(PCS)直流侧的保护架构,提升系统整体效率与可靠性。建议研发团...
一种CCM Boost PFC变换器的离散占空比控制:原理、建模与分析
A Discrete Duty Ratio Control for CCM Boost PFC Converter: Principle, Modeling, and Analysis
Jin Sha · Suting Chen · Jiahao Hu · Honghao Wei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
本文提出了一种离散占空比(DDR)控制策略,旨在提升连续导通模式(CCM)下Boost功率因数校正(PFC)变换器的功率因数和瞬态响应性能。通过直接生成离散占空比以拟合目标占空比,该控制策略实现了高功率因数和参考输出电压的快速、精确跟踪。
解读: 该技术主要应用于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线中的前级PFC电路。在户用逆变器中,优化PFC控制可显著提升系统在宽电压范围下的功率因数,降低谐波污染;在充电桩应用中,该离散占空比控制策略能有效提升动态响应速度,改善输出电压稳定性。建议研发团队评估该算法在数字控制平台(如DSP/FPGA)上的...
桥臂电路中肖特基型p-GaN栅HEMT漏极相关阈值电压漂移及误导通分析
Analysis of Drain-Dependent Threshold Voltage and False Turn-On of Schottky-Type p-GaN Gate HEMT in Bridge-Leg Circuit
Zetao Fan · Maojun Wang · Jin Wei · Muqin Nuo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月
本文分析了肖特基型p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT)在桥臂电路高压开关过程中的阈值电压(Vth)负向漂移及其引发的误导通问题。通过脉冲IV测量手段,研究了高漏源电压(VDS)对器件阈值特性的影响,为提升GaN功率器件在高压应用下的可靠性提供了理论依据。
解读: 随着阳光电源在户用及工商业光伏逆变器中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用前景广阔。本文研究的p-GaN栅HEMT在桥臂电路中的误导通风险,直接关系到逆变器功率模块的可靠性设计。建议研发团队在开发基于GaN的下一代高频变换器时,重点关注高压开关下的Vth漂移特性,优化驱动电路设计以抑制误导通,从...
一种基于混合器件的双向中压直流固态断路器
A Bidirectional MVDC Solid-State Circuit Breaker Based on Mixture Device
Jin Zhu · Qingpeng Zeng · Xu Yang · Mi Zhou 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
本文提出了一种基于晶体管(IGBT)与晶闸管混合结构的双向固态断路器(SSCB)。针对传统双向拓扑中IGBT数量倍增导致的导通损耗增加及成本上升问题,该方案通过混合拓扑优化了器件配置,在保证快速切断能力的同时,有效降低了系统损耗与成本。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及中压直流并网应用具有重要参考价值。随着储能系统向更高电压等级(如1500V及以上)发展,直流侧故障保护至关重要。该混合型SSCB方案通过优化IGBT与晶闸管的组合,能在降低PCS直流侧保护成本的同时提升效率,有助于优化大功率...
p-GaN栅极功率HEMT开关运行下动态关断漏电流的物理经验模型
A Physics-Based Empirical Model of Dynamic IOFF Under Switching Operation in p-GaN Gate Power HEMTs
Yuru Wang · Tao Chen · Mengyuan Hua · Jin Wei 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月
本文基于物理机制,建立了p-GaN栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)在开关运行下动态关断漏电流(IOFF)的经验模型。模型综合考虑了开关频率、占空比、关断延迟时间、栅极驱动电压及温度等关键运行条件对漏电流的影响。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用前景广阔。该模型揭示了p-GaN HEMT在动态开关过程中的漏电流演变规律,对于优化逆变器及充电桩的驱动电路设计、提升系统效率及热管理水平具有重要指导意义。建议研发团队在下一代高频化、小型化功率模块设计中,引入该...
将动态阈值电压纳入肖特基型p-GaN栅极功率HEMT的SPICE模型
Incorporating the Dynamic Threshold Voltage Into the SPICE Model of Schottky-Type p-GaN Gate Power HEMTs
Han Xu · Jin Wei · Ruiliang Xie · Zheyang Zheng 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
本文研究了增强型肖特基型p-GaN栅极HEMT的阈值电压(VTH)对漏极偏置的依赖性。研究发现,器件从高漏压关断状态切换至导通状态时,所需的栅极电压高于静态特性预期。文章揭示了这种动态VTH现象的物理机制,并将其纳入SPICE模型以提高仿真精度。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用前景广阔。该研究提出的动态阈值电压SPICE模型,能够显著提升电路仿真在宽禁带半导体应用中的准确性,避免因模型偏差导致的驱动电路设计失效。建议研发团队在开发下一代高频、高效率组串式逆变器及微型逆变器时,引入该动态模...
1200V常闭型SiC-JFET/GaN-HEMT共源共栅器件的Dv/Dt控制
Dv/Dt-Control of 1200-V Normally-off SiC-JFET/GaN-HEMT Cascode Device
Gang Lyu · Yuru Wang · Jin Wei · Zheyang Zheng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文提出了一种1200V常闭型SiC-JFET/GaN-HEMT共源共栅器件。该结构结合了高压SiC JFET与低压GaN HEMT的优势,在热稳定性和开关性能上优于传统SiC MOSFET,但同时也带来了dv/dt控制方面的挑战。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要意义。1200V宽禁带器件是实现高功率密度、高效率的关键。SiC-JFET/GaN-HEMT共源共栅结构在提升开关频率、降低开关损耗方面潜力巨大,有助于进一步缩小逆变器和PCS体积。建议研发团队关注该器件在高频...
第 1 / 2 页