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1200V常闭型SiC-JFET/GaN-HEMT共源共栅器件的Dv/Dt控制
Dv/Dt-Control of 1200-V Normally-off SiC-JFET/GaN-HEMT Cascode Device
| 作者 | Gang Lyu · Yuru Wang · Jin Wei · Zheyang Zheng · Kevin J. Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 GaN器件 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC-JFET GaN-HEMT 共源共栅器件 1200-V 开关性能 热稳定性 Dv/dt控制 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种1200V常闭型SiC-JFET/GaN-HEMT共源共栅器件。该结构结合了高压SiC JFET与低压GaN HEMT的优势，在热稳定性和开关性能上优于传统SiC MOSFET，但同时也带来了dv/dt控制方面的挑战。
English Abstract
A normally-off SiC-JFET/GaN-HEMT cascode device is recently proposed, featuring a cascode configuration that incorporates a high-voltage (i.e., 1200 V) SiC junction field effect transistor (JFET) and a low-voltage GaN high electron mobility transistor (HEMT). This cascode device exhibits superior thermal stability and switching performance compared to the SiC MOSFETs, but also inevitably presents ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要意义。1200V宽禁带器件是实现高功率密度、高效率的关键。SiC-JFET/GaN-HEMT共源共栅结构在提升开关频率、降低开关损耗方面潜力巨大，有助于进一步缩小逆变器和PCS体积。建议研发团队关注该器件在高频化设计中的电磁兼容（EMC）及dv/dt应力控制，以提升系统长期运行的可靠性，特别是在高压储能变流器中的应用潜力。