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高温应用中功率半导体芯片烧结银互连的可靠性
Reliability of Ag Sintering for Power Semiconductor Die Attach in High-Temperature Applications
| 作者 | Fang Yu · Jinzi Cui · Zhangming Zhou · Kun Fang · R. Wayne Johnson · Michael C. Hamilton |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 SiC器件 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 银烧结 芯片互连 电力电子 SiC 可靠性 DBC基板 高温应用 |
语言:
中文摘要
低温烧结银技术提供了一种无铅芯片连接方案，适用于300°C高温电力电子应用。本文研究了烧结银技术在Si和SiC芯片上的可靠性，涵盖了低电流厚膜基板及高电流直接覆铜（DBC）基板的应用场景，并探讨了无压与低压烧结工艺的影响。
English Abstract
Low-temperature Ag sintering provides a lead-free die attachment method that is compatible with high-temperature (300 °C) power electronics applications. The reliability of sintered Ag die attach for Si and SiC die has been studied on both thick film substrates for lower current power applications and direct bond copper (DBC) substrates for higher current power applications. Pressureless and low-p...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中对高功率密度和高温工作环境的需求日益增长，SiC器件的应用已成为核心趋势。烧结银技术作为替代传统焊料的高可靠性互连方案，能显著提升功率模块在极端工况下的热循环寿命和导热性能。建议研发团队在下一代高压组串式逆变器及大功率储能变流器（PCS）的功率模块封装中，引入烧结银工艺，以优化模块热管理，降低结温，从而提升整体系统的可靠性与使用寿命。