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并联SiC JFET在正向和反向导通模式下的强制电流均衡研究
Forced Current Balancing of Parallel-Connected SiC JFETs During Forward and Reverse Conduction Mode
| 作者 | Sotirios G. Kokosis · Ioannis E. Andreadis · Georgios E. Kampitsis · Pavlos Pachos · Stefanos Manias |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC JFET 并联连接 电流均衡 正向导通 反向导通 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文深入研究了最新一代垂直沟槽型碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）在并联连接下的正向和反向导通特性。通过对增强型和耗尽型SiC JFET的静态与动态特性进行全面分析，探讨了电流均衡、可靠性及相关参数的影响，为高功率密度电力电子变换器的设计提供了理论支撑。
English Abstract
In this paper, a thorough investigation on the parallel connection of the latest generation vertical trench silicon carbide (SiC) junction field-effect transistors (JFETs) during forward and reverse conduction is performed. Both enhancement and depletion mode SiC JFETs are examined, regarding their static and dynamic characteristics. A parametric analysis on the current sharing, reliability, and e...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统中对高功率密度和高效率的要求不断提升，SiC器件的应用已成为核心竞争力。本文对SiC JFET并联均流特性的研究，对于优化大功率逆变器及PCS模块的功率器件并联方案具有重要参考价值。建议研发团队关注JFET在反向导通模式下的损耗特性，这有助于进一步提升阳光电源光储产品在复杂工况下的热管理效率和系统可靠性，特别是在高频化设计趋势下，该研究可指导功率模块的驱动电路优化与均流设计。