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一种用于缓解SiC MOSFET多芯片功率模块电流不平衡的新型DBC布局
A Novel DBC Layout for Current Imbalance Mitigation in SiC MOSFET Multichip Power Modules
| 作者 | Helong Li · Stig Munk-Nielsen · Szymon Beczkowski · Xiongfei Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 多芯片功率模块 DBC布局 电流不平衡 电流均流 电路失配 电流耦合 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种新型直接覆铜(DBC)布局,旨在解决并联SiC MOSFET多芯片功率模块中的电流不平衡问题。通过优化布局,该设计显著降低了电路失配和电流耦合效应,从而有效提升了并联芯片间的电流分配均匀性,提高了模块的整体性能。
English Abstract
This letter proposes a novel direct bonded copper (DBC) layout for mitigating the current imbalance among the paralleled SiC MOSFET dies in multichip power modules. Compared to the traditional layout, the proposed DBC layout significantly reduces the circuit mismatch and current coupling effect, which consequently improves the current sharing among the paralleled SiC MOSFET dies in power module. M...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品线。随着公司在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器中大规模应用SiC MOSFET,并联芯片的电流均流是提升模块可靠性与效率的关键。该新型DBC布局方案可直接应用于公司自研功率模块的封装设计中,通过优化寄生参数,降低芯片热应力,从而提升逆变器和PCS在极端工况下的寿命与过载能力。建议研发团队在下一代高功率密度SiC模块开发中引入此布局优化,以进一步缩小模块体积并提升系统效率。