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SiC功率MOSFET的物理紧凑模型
A Physics-Based Compact Model of SiC Power MOSFETs
| 作者 | Rainer Kraus · Alberto Castellazzi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC功率MOSFET 紧凑模型 电热行为 界面陷阱 电子迁移率 漏极电阻 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于物理机制的SiC功率MOSFET紧凑模型，综合考虑了影响器件特性及电热行为的关键物理现象。模型涵盖了沟道电荷、电子迁移率与界面陷阱电荷的依赖关系，并实现了电压相关漏极电阻的有效计算。
English Abstract
The presented compact model of SiC power MOSFETs is based on a thorough consideration of the physical phenomena which are important for the device characteristics and its electrothermal behavior. The model includes descriptions of the dependence of channel charge and electron mobility on the charge of interface traps and a simple but effective calculation of the voltage-dependent drain resistance....
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SunView 深度解读
SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该物理紧凑模型能更精确地模拟SiC MOSFET在极端工况下的电热耦合特性，对优化PowerTitan等储能系统及组串式逆变器的散热设计、开关损耗评估及可靠性寿命预测具有重要意义。建议研发团队将此模型集成至仿真平台，以缩短高性能SiC功率模块的选型与驱动电路设计周期，进一步提升产品在高温、高频应用场景下的竞争优势。