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一种用于碳化硅基BJT功率模块的简单解析PSpice模型开发
Development of a Simple Analytical PSpice Model for SiC-Based BJT Power Modules
| 作者 | Daniel Johannesson · Muhammad Nawaz |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 4H-SiC BJT 功率模块 PSpice模型 Gummel-Poon模型 高功率应用 电路仿真 |
语言:
中文摘要
本文首次开发并验证了一种针对1200V/800A 4H-SiC双极结型晶体管（BJT）功率模块的简单解析Spice型模型。该模型基于适用于高功率应用的温度相关SiC Gummel-Poon模型，通过PSpice仿真提取了与技术相关的参数，为高压大功率SiC器件的电路级仿真提供了高效工具。
English Abstract
A simple analytical Spice-type model has been developed and verified for the first time for 4H-SiC-based bipolar junction transistor (BJT) power module with voltage and current rating of 1200 V and 800 A. The simulation model is based on a temperature-dependent silicon carbide (SiC) Gummel-Poon model for high-power applications. PSpice simulations are performed to extract technology-dependent mode...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统（PCS）中对功率密度和效率要求的不断提升，SiC器件的应用已成为核心趋势。该研究提出的高压大功率SiC器件解析模型，能够显著缩短研发周期，提升电路仿真精度。建议研发团队关注该模型在高温环境下的热电耦合特性，将其引入到大功率逆变器及储能变流器的设计仿真流程中，以优化驱动电路设计，降低开关损耗，并提升系统在极端工况下的可靠性。