← 返回
包含载流子陷阱影响的高压SiC-MOSFET电路功率损耗预测紧凑模型
Power-Loss Prediction of High-Voltage SiC-mosfet Circuits With Compact Model Including Carrier-Trap Influences
| 作者 | Yuta Tanimoto · Atsushi Saito · Kai Matsuura · Hideyuki Kikuchihara · Hans Jurgen Mattausch · Mitiko Miura-Mattausch · Noriaki Kawamoto |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 载流子俘获 紧凑模型 功率损耗 开关特性 SiC/SiO2界面 器件退化 |
语言:
中文摘要
本文旨在阐明载流子陷阱效应对碳化硅（SiC）功率MOSFET电气特性的影响，并将其纳入电路仿真中。重点研究了SiC/SiO2界面缺陷导致的开关特性退化。文章提出了一种考虑陷阱密度的SiC功率MOSFET紧凑模型，用于精确预测高压电路中的功率损耗。
English Abstract
The paper aims at clarifying the carrier-trapping influence on the electrical characteristics of silicon carbide (SiC) power MOSFETs and its inclusion in the simulation of SiC power mosfet-based circuits. Special focus is given on the degradation of the switching characteristics due to carrier trapping at SiC/SiO2 interface defects. A compact SiC power mosfet model, considering the trap density in...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高电压等级和更高功率密度演进，SiC器件已成为提升效率的关键。载流子陷阱导致的长期可靠性退化是影响产品全生命周期性能的核心挑战。建议研发团队将此紧凑模型集成至iSolarCloud智能运维平台的数字孪生系统中，通过仿真预测器件在复杂工况下的损耗演变，优化逆变器与PCS的控制策略，从而提升系统在极端环境下的可靠性与寿命预测精度。