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线性区SiC-JFET极间电容表征方法
Characterization Method of SiC-JFET Interelectrode Capacitances in Linear Region
| 作者 | Ke Li · Arnaud Videt · Nadir Idir |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC-JFET 极间电容 线性区 Cgd Coss 开关波形 表征方法 |
语言:
中文摘要
为研究SiC-JFET的开关波形，必须掌握功率器件在线性区内的极间电容演变特性。本文首先利用多电流探针法表征了反向传输电容Cgd，并通过阻抗分析仪测量进行了验证。同时，采用相同方法对输出电容Coss进行了测量与分析。
English Abstract
In order to study switching waveforms of a SiC-JFET, its interelectrode capacitances evolution is necessary when the power device is in linear region. In this paper, the reverse transfer capacitance Cgd is at first characterized by the multiple-current-probe method and afterwards validated by the measurement with an impedance analyzer. The output capacitance Cossis measured by the same method and ...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在高功率密度组串式逆变器及PowerTitan储能系统PCS中对SiC器件应用比例的提升，精确掌握SiC器件在全工作区间（尤其是线性区）的电容特性对于优化开关损耗模型、提升驱动电路设计精度至关重要。该研究提出的表征方法有助于研发团队更准确地评估SiC器件的动态性能，从而优化逆变器及PCS的效率与电磁兼容性（EMC）设计。建议将此表征流程引入功率模块选型与驱动参数匹配的测试标准中，以进一步提升产品在高频化趋势下的可靠性与转换效率。