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一种用于兆赫兹运行的高压共源共栅氮化镓器件新封装
A New Package of High-Voltage Cascode Gallium Nitride Device for Megahertz Operation
| 作者 | Wenli Zhang · Xiucheng Huang · Zhengyang Liu · Fred C. Lee · Shuojie She · Weijing Du · Qiang Li |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓 GaN HEMT 功率器件 高频 功率变换 封装 寄生参数 |
语言:
中文摘要
相比硅基器件，横向氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）具备高电流密度、高开关速度和低导通电阻等优势，是实现高频、高效功率转换的理想选择。本文针对GaN HEMT在高频运行下的封装技术进行了研究，旨在解决高频开关带来的寄生参数影响，提升功率密度。
English Abstract
Lateral gallium nitride (GaN)-based high-electron-mobility transistor (HEMT) power devices have high current density, high switching speed, and low on-resistance in comparison to the established silicon (Si)-based semiconductor devices. These superior characteristics make GaN HEMTs ideal for high-frequency, high-efficiency power conversion. Using efficient GaN HEMT devices switched at high frequen...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品线具有重要战略意义。随着电力电子技术向高频化、高功率密度方向演进，GaN器件的应用能显著减小磁性元件体积，提升整机效率。建议研发团队关注该新型封装技术在兆赫兹级开关频率下的热管理与电磁兼容性能，将其引入下一代轻量化户用逆变器或便携式储能产品的研发中，以进一步提升产品竞争力，实现更极致的体积与效率优化。