器件与电路不匹配对碳化硅MOSFET并联的影响

Influences of Device and Circuit Mismatches on Paralleling Silicon Carbide MOSFETs

作者	Helong Li · Stig Munk-Nielsen · Xiongfei Wang · Ramkrishan Maheshwari · Szymon Beczkowski · Christian Uhrenfeldt · W.-Toke Franke
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2016年1月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件功率模块可靠性分析宽禁带半导体
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	SiC MOSFET 并联器件失配电路失配功率模块电流均衡开关特性

语言:

中文摘要

本文研究了器件参数与电路布局不匹配对碳化硅（SiC）MOSFET并联运行的影响。通过从分立器件到多芯片功率模块的理论分析与实验验证，揭示了不匹配因素对电流分配及动态特性的影响，为高功率密度电力电子系统的设计提供了参考。

English Abstract

This paper addresses the influences of device and circuit mismatches on paralleling the silicon carbide (SiC) MOSFETs. Comprehensive theoretical analysis and experimental validation from paralleled discrete devices to paralleled dies in multichip power modules are first presented. Then, the influence of circuit mismatch on paralleling SiC MOSFETs is investigated and experimentally evaluated for th...

SunView 深度解读

该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在PowerTitan储能系统及大功率组串式/集中式光伏逆变器中，SiC MOSFET的并联应用是提升功率密度与转换效率的关键。文章深入分析的器件与电路不匹配问题，直接关系到模块内部电流均衡与热应力分布，对优化逆变器及PCS的功率模块设计、提升系统长期运行的可靠性具有指导意义。建议研发团队在后续高功率密度模块选型与PCB布局设计中，参考文中关于寄生参数与不匹配性的分析模型，以降低并联损耗并延长器件寿命。