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面向未来牵引变流器的双SiC MOSFET模块特性与实现
Characterization and Implementation of Dual-SiC MOSFET Modules for Future Use in Traction Converters
| 作者 | Joseph Fabre · Philippe Ladoux · Michel Piton |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 SiC MOSFET 功率模块 牵引变换器 开关器件 高温 阻断电压 |
语言:
中文摘要
硅基IGBT在轨道交通变流器中应用广泛。碳化硅（SiC）技术正推动开关器件向更高阻断电压、更高工作温度及更高开关速度发展。本文探讨了首批商用SiC MOSFET模块的特性，分析了其在提升变流器效率与功率密度方面的潜力及面临的挑战。
English Abstract
Silicon (Si) insulated-gate bipolar transistors are widely used in railway traction converters. In the near future, silicon carbide (SiC) technology will push the limits of switching devices in three directions: higher blocking voltage, higher operating temperature, and higher switching speeds. The first silicon carbide (SiC) MOSFET modules are available on the market and look promising. Although ...
S
SunView 深度解读
SiC技术的应用是阳光电源提升产品竞争力的关键。该文章探讨的SiC MOSFET模块特性对公司组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器（PCS）的功率密度提升具有重要参考价值。随着SiC器件向高压、高温方向演进，建议研发团队重点关注其在高频开关下的电磁兼容性及热管理优化。在未来的高压储能系统及大功率光伏逆变器设计中，引入高性能SiC模块可显著降低损耗，缩小体积，助力公司产品在极端环境下的可靠性与效率表现。