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SiC MOSFET在重复短路应力下的阈值电压退化与恢复特性
Threshold Voltage Degradation and Recovery Characteristics of SiC MOSFETs Under Repetitive Short-Circuit Stress
| 作者 | Yifan Wu · Chao Wang · Chi Li · Jianwei Liu · Zedong Zheng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 预计 2026年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 阈值电压 短路应力 老化 恢复特性 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文深入研究了SiC MOSFET在重复短路应力下的阈值电压（VTH）退化机理及其恢复特性。通过实验分析，揭示了短路应力对器件寿命的影响，并探讨了退化后的恢复行为，为电力电子系统设计者评估器件可靠性及寿命预测提供了关键参考。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (mosfet’s) lifetime and aging receive a lot of concerns from power electronics system designers. The recovery characteristics after degradation is also crucial for device users to properly evaluate the influences of power device’s degradations. This article comprehensively explores the threshold voltage (VTH) degradation and ...
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SunView 深度解读
SiC MOSFET作为阳光电源组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩的核心功率器件，其可靠性直接决定了产品的全生命周期性能。短路应力是电力电子系统在极端工况下的常见挑战，本文对VTH退化与恢复特性的研究，有助于优化阳光电源的驱动电路保护策略，提升逆变器在复杂电网环境下的鲁棒性。建议研发团队将此研究成果应用于功率模块的选型评估及iSolarCloud平台的故障预测模型中，以进一步提高系统在极端工况下的安全运行水平。