← 返回
一种高密度3.3 kV/2000 A SiC MOSFET功率模块：设计、制造与实验评估
A High-Density 3.3 kV/2000 a SiC MOSFET Power Module: Design, Fabrication, and Experimental Evaluation
| 作者 | Yimin Zhou · Zhiqiang Wang · Lingqi Tan · Chunyang Man · Jialong Dou · Deao Shen · Yunchan Wu · Kai Ma · Yu Liao · Liu Yang · Guoqing Xin · Xiaojie Shi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 中压 SiC MOSFET 功率模块 高密度 HVDC 海上风电 电热特性 |
语言:
中文摘要
本文针对海上风电柔性直流输电系统对中压大容量功率模块的需求，开发了一种高密度3.3 kV/2000 A碳化硅（SiC）功率模块。该模块具备优异的电热特性，为高功率电子变换器及系统的革新提供了新机遇，并详细介绍了其设计、制造工艺及实验验证过程。
English Abstract
Medium voltage silicon carbide (SiC) power semiconductor modules with excellent electrothermal properties offer novel opportunities for revolutionizing high-power electronic converters and systems. Based on the requirement for MV high-capacity power modules from offshore wind power flexible high voltage direct current (HVDC) transmission systems, this article successfully developed a high-density ...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的风电变流器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。3.3kV高压SiC器件的应用可显著提升变流器功率密度并降低损耗，是实现海上风电及高压直流输电系统小型化、高效化的关键。建议研发团队关注该模块的封装散热技术与寄生参数优化，未来可将其引入至高压储能PCS或海上风电变流器中，以提升系统能效并降低散热成本，增强在高端能源装备市场的竞争力。