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基于单片双向GaN/分立SiC-FET及平面变压器的宽电压范围可重构DAB变换器
Wide Voltage Range Reconfigurable DAB Converter Realized by Monolithic Bidirectional GaN/Discrete SiC-FETs, and Planar Transformer
| 作者 | Reza Barzegarkhoo · Fabian Groon · Arkadeb Sengupta · Marco Liserre |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年11月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DAB 双向DC-DC GaN器件 SiC器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | DAB 变换器 宽电压范围 GaN SiC-FET 平面变压器 功率密度 双向功率流 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种新型双有源桥（DAB）变换器，通过结合单片双向GaN器件、分立SiC-FET及平面变压器技术，解决了传统DAB在宽电压范围（如200-800V）应用中效率下降的问题，显著提升了功率密度与转换效率，适用于车载及低功率电力电子系统。
English Abstract
The standard dual active bridge (DAB) converter with symmetric full-bridge circuits on both the primary and secondary sides of a galvanic transformer has been widely recognized in automotive systems for its efficient performance within a limited voltage conversion range. However, when used in low-power applications or when a broader voltage conversion range (e.g., 200–800 V) is required, maintaini...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的户用光储一体化系统及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着户用储能系统对宽电压范围（适配不同电池电压平台）及高功率密度的需求日益增长，采用GaN与SiC混合功率拓扑可显著减小变换器体积并提升全负载范围效率。建议研发团队评估该可重构DAB拓扑在阳光电源新一代户用储能PCS及直流快充模块中的应用潜力，特别是在优化平面变压器设计以提升散热性能方面，可作为提升产品竞争力的关键技术储备。