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宽输入电压范围下Si与SiC多电平双有源桥
DAB）拓扑的η-ρ-σ帕累托优化对比
| 作者 | Ralph M. Burkart · Johann W. Kolar |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年7月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DAB SiC器件 双向DC-DC 多电平 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 双有源桥（DAB） SiC 多电平 直流微电网 效率 功率密度 Pareto优化 |
语言:
中文摘要
本文针对5kW、100-700V宽输入电压范围的直流微电网应用，对Si和SiC双有源桥（DAB）变换器进行了成本感知对比。研究对比了传统三电平DAB（3LDAB）与先进五电平DAB（5LDAB）拓扑，后者在宽电压范围内有效降低了RMS电流，并评估了损耗与性能指标。
English Abstract
This work presents a comprehensive cost-aware comparison of isolated bidirectional Si and SiC dual-active-bridge (DAB) concepts for a 5-kW 100-700-V input voltage range dc microgrid application. A conventional three-level DAB (3LDAB) is compared to an advanced five-level DAB (5LDAB) topology, where the latter enables reduced rms currents within the given voltage range. Both concepts employ a loss-...
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SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及直流微电网解决方案中的核心DC-DC变换环节。随着储能系统向高压化、宽电压范围输入发展，文中提到的五电平DAB拓扑及SiC器件应用，对于提升PCS（储能变流器）的功率密度和转换效率具有重要参考价值。建议研发团队关注5LDAB在宽电压输入下的损耗优化策略，以降低系统散热成本，并评估其在下一代高压储能PCS产品中的技术可行性，从而进一步提升产品在市场中的竞争力。