具有不同绕组配置的三相M电平至N电平DAB变换器的闭式ZVS边界

Closed-Form ZVS Boundaries for Three-Phase M-Level-to-N-Level DAB Converters With Different Winding Configurations

作者	Babak Khanzadeh · Torbjörn Thiringer
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2023年7月
技术分类	拓扑与电路
技术标签	DAB 双向DC-DC 多电平储能变流器PCS
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	三相DAB DC-DC变换器 ZVS边界 M电平转N电平软开关电能变换

语言:

中文摘要

三相双有源桥（DAB）DC-DC变换器具备固有的零电压开关（ZVS）特性。本文推导了适用于M电平至N电平DAB变换器的闭式ZVS边界方程，为任意电平数的变换器设计提供了理论支撑，有助于优化开关损耗与效率。

English Abstract

One of the essential characteristics of a three-phase dual-active-bridge (DAB) dc–dc converter is its inherent zero-voltage switching (ZVS) capability during the turn-on of the switches. This article provides closed-form equations that identify the ZVS boundaries for an M-level-to-N-level DAB converter, where M and N can be any natural numbers. It is shown that the derived ZVS boundaries can be us...

SunView 深度解读

该研究直接服务于阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及大功率DC-DC变换模块的核心技术。DAB拓扑是实现储能系统高效双向能量流动的关键，M电平至N电平的通用化ZVS边界分析，能有效指导高压大功率储能PCS的拓扑选型与软开关控制策略优化。通过精确的边界计算，研发团队可进一步降低开关损耗，提升系统功率密度与效率，特别是在高压直流耦合场景下，该理论有助于提升阳光电源储能产品的电能转换性能与热管理水平。