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基于GaN的双有源桥
DAB）变换器的死区效应与精确ZVS边界研究
Haochen Shi · Huiqing Wen · Yihua Hu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管凭借低导通电阻和高频特性，成为提升功率密度和效率的关键。随着开关频率提升，死区效应成为影响DAB变换器性能的挑战。本文研究了多移相控制下GaN基DAB变换器的死区效应，并推导了精确的零电压开关（ZVS）边界，为高频高效功率变换设计提供理论支持。
解读: 该研究对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及户用光伏储能产品中的双向DC-DC变换器设计具有极高参考价值。随着储能PCS向高功率密度和高频化演进，GaN器件的应用是必然趋势。本文提出的死区效应分析与ZVS边界优化方法，可直接指导研发团队提升DAB模块的转换效率，减小磁...
具有不同绕组配置的三相M电平至N电平DAB变换器的闭式ZVS边界
Closed-Form ZVS Boundaries for Three-Phase M-Level-to-N-Level DAB Converters With Different Winding Configurations
Babak Khanzadeh · Torbjörn Thiringer · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
三相双有源桥（DAB）DC-DC变换器具备固有的零电压开关（ZVS）特性。本文推导了适用于M电平至N电平DAB变换器的闭式ZVS边界方程，为任意电平数的变换器设计提供了理论支撑，有助于优化开关损耗与效率。
解读: 该研究直接服务于阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及大功率DC-DC变换模块的核心技术。DAB拓扑是实现储能系统高效双向能量流动的关键，M电平至N电平的通用化ZVS边界分析，能有效指导高压大功率储能PCS的拓扑选型与软开关控制策略优化。通过精确的边界计算，研发团队可进一...