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基于GaN的双有源桥
DAB）变换器的死区效应与精确ZVS边界研究
| 作者 | Haochen Shi · Huiqing Wen · Yihua Hu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年9月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DAB DC-DC变换器 GaN器件 宽禁带半导体 双向DC-DC |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 双有源桥(DAB) 死区效应 ZVS边界 多移相控制 功率密度 高频运行 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管凭借低导通电阻和高频特性，成为提升功率密度和效率的关键。随着开关频率提升，死区效应成为影响DAB变换器性能的挑战。本文研究了多移相控制下GaN基DAB变换器的死区效应，并推导了精确的零电压开关（ZVS）边界，为高频高效功率变换设计提供理论支持。
English Abstract
Gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) are promising for the next-generation power switching applications due to their low on-resistance, high-frequency operation, and small gate capacitances, which are essential for the power density and efficiency improvement. However, with the increase of the switching frequency, the deadband effect will become a challenging issue for ...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及户用光伏储能产品中的双向DC-DC变换器设计具有极高参考价值。随着储能PCS向高功率密度和高频化演进，GaN器件的应用是必然趋势。本文提出的死区效应分析与ZVS边界优化方法，可直接指导研发团队提升DAB模块的转换效率，减小磁性元件体积，从而优化储能系统的整体功率密度。建议在下一代高频PCS样机开发中引入该精确边界模型，以降低开关损耗并提升系统可靠性。