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| 作者 | Yu Yan · Handong Gui · Hua Bai |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年2月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DAB DC-DC变换器 宽禁带半导体 双向DC-DC |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 零电压开关 (ZVS) 双有源桥 (DAB) 隔离型DC-DC变换器 宽禁带器件 开关瞬态 H桥 |
语言:
中文摘要
本文针对双有源桥（DAB）隔离型DC-DC变换器，深入分析了宽禁带器件在高频应用下的零电压开关（ZVS）实现机制。指出传统基于半桥的分析忽略了关键影响因素，通过对八个开关管的完整建模，为实现全范围ZVS提供了更精确的理论支撑。
English Abstract
Zero-voltage-switching (ZVS) has been widely applied in widebandgap devices based on high-switching-frequency converters, for instance, dual-active-bridge isolated dc-dc converter, which consists of two H-bridges. To secure ZVS for all eight switches, previous literature mostly focuses on half-bridge to analyze switching transitions, which, however, is rather incomplete due to ignoring the impact ...
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SunView 深度解读
DAB拓扑是阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack系列）及直流耦合光储一体化方案中双向DC-DC变换的核心。该研究对实现全范围ZVS的深度解析，有助于优化PCS模块的软开关控制策略，从而提升变换效率并降低开关损耗。在当前高频化、高功率密度的设计趋势下，该分析方法可直接指导SiC等宽禁带器件在储能变流器中的选型与驱动电路优化，进一步提升阳光电源产品的能效指标与热管理表现。