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SiC MOSFET非对称开关特性分析
On the Analysis of Asymmetrical Switching of SiC MOSFETs
| 作者 | Yeonju Lee · Hyemin Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 开关不对称性 动态特性 开关行为 电力电子 开关控制 |
语言:
中文摘要
本文深入探讨了碳化硅（SiC）MOSFET的动态特性，特别是开关行为及其非对称性。通过分析开关非对称性的根本原因与物理机制，旨在提升功率变换系统的稳定性，并为实现更精确的开关控制提供理论依据。
English Abstract
A thorough understanding of silicon-carbide (SiC) mosfets’ dynamic characteristics, particularly switching behavior and asymmetry, is essential to ensure system stability and enable more precise switching control. However, the fundamental causes and mechanisms of switching asymmetry have yet to be fully understood. This article focuses on investigating the causes of switching asymmetry by analyzin...
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SunView 深度解读
SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器实现高功率密度与高效率的核心器件。开关非对称性直接影响功率模块的损耗分布、电磁干扰（EMI）及驱动电路设计。深入理解该机制有助于优化阳光电源产品的驱动电路参数，提升高频化设计下的系统可靠性，并降低功率模块在极端工况下的热应力，对提升产品在复杂电网环境下的性能稳定性具有重要指导意义。