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一种改进的碳化硅MOSFET导通特性测量方法
An Improved Methodology for Measuring the Conduction Characteristics of SiC MOSFETs
| 作者 | Brian T. DeBoi · Andrew N. Lemmon · Arthur Boutry |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 导通特性 行为建模 曲线追踪仪 电力电子 器件表征 漏源电压 |
语言:
中文摘要
开发高精度碳化硅(SiC) MOSFET行为模型需覆盖全工作区间的导通特性。然而，商用曲线追踪仪在低漏源电压下的测量范围受限，且存在动态稳定时间长等问题，导致测量误差。本文提出了一种改进的测量方法，旨在提升SiC器件在全工作区间的导通特性表征精度，为功率变换器的精确建模与设计提供支撑。
English Abstract
Developing accurate behavioral models for silicon carbide (SiC) mofsets requires measuring their conduction characteristics across their entire operating regime. However, commercial curve tracer instruments can only measure a limited range of conduction characteristics at low drain-source voltage biases. In addition, the long dynamic settling times intrinsic to commercial curve tracers introduce s...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心功率器件选型与建模工作。随着公司组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器向高功率密度、高效率方向演进，SiC MOSFET的应用日益广泛。该改进测量方法能显著提升器件行为模型的准确性，有助于优化逆变器及PCS的损耗计算与热设计，从而提升产品效率。建议研发团队将其应用于SiC功率模块的选型评估及高精度仿真建模中，以进一步优化系统控制策略，缩短产品开发周期。