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| 作者 | Zaixuan Shang · Jiapeng Liu · Jinpeng Wu · Xiaotong Shen · Chunpin Ren · Zhengyu Chen · Xiaoyu Xu · Lingyao Meng · Lihui Xu · Fei Tong · Rong Zeng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | SGTO 电压提升 载流子浓度 电力电子 半导体器件 器件优化 |
语言:
中文摘要
本文分析了超级门极可关断晶闸管（SGTO）中出现的有害电压升高现象。通过仿真研究，明确了载流子浓度不足是导致电压升高的根本原因。此外，通过定量理论分析，研究了影响电压升高的关键因素，并提出了相应的优化方法。
English Abstract
In this article, the mechanism regarding the detrimental voltage elevation phenomenon of the super GTOs (SGTOs) is analyzed. First, based on simulation, it is clarified that the ringleader of the voltage elevation is the insufficient carrier concentration. Second, the factors influencing the voltage elevation are studied through quantitatively theoretical analysis, and it is found that the voltage...
S
SunView 深度解读
SGTO作为一种高压大功率电力电子器件，其电压升高现象直接影响器件的可靠性与开关损耗。对于阳光电源而言，该研究对于提升大功率集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）中功率模块的选型与驱动电路设计具有参考价值。虽然阳光电源目前主流采用IGBT及SiC模块，但深入理解此类高压器件的物理特性有助于优化变流器在高压工况下的热管理与保护策略，提升系统在极端环境下的运行稳定性。