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GaN/AlN异质结构中二维空穴气的太赫兹回旋共振
THz cyclotron resonance of a 2D hole gas in a GaN/AlN heterostructure
Oxford University Press · New York · Close Modal · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
近年来，GaN/AlN异质结中高导电二维空穴气（2DHG）的发现为实现高效的互补型GaN电子器件开辟了道路，这是宽禁带半导体器件物理中的长期挑战。电输运研究和模拟表明，这些2DHG中重空穴和轻空穴价带均被占据，但对可动空穴基本参数的直接实验表征仍处于初期阶段。本文利用时间域太赫兹光谱结合高达31 T的脉冲磁场，在低温（8 K）下直接测量了基于GaN的2DHG中可动二维空穴的回旋共振，揭示了有效质量、载流子浓度、散射时间和迁移率等关键材料参数。
解读: 该GaN/AlN异质结二维空穴气研究为阳光电源GaN功率器件开发提供关键基础数据。通过太赫兹回旋共振直接表征的空穴有效质量、迁移率等参数，可指导SG系列光伏逆变器和ST储能变流器中GaN器件的优化设计。二维空穴气的高导电特性有助于实现互补型GaN器件（p型+n型），突破现有单极性限制，提升电动汽车驱...
基于有效栅长的改进型T型栅HEMT紧凑模型
An Improved Compact Model of T-Gate HEMT Based on Effective Gate Length
Kaiyuan Zhao · Hao Lu · Xiaoyu Cheng · Meng Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月
高电子迁移率晶体管的先进 SPICE 模型（ASM - HEMT）是基于氮化镓（GaN）的高电子迁移率晶体管（HEMT）的行业标准模型之一，该模型中仍缺乏对器件内部物理特性分布的解析模型，特别是缺乏可与漏极电流（$I_{DS}$）和栅极电荷（$Q_{G}$）相关联的横向电场（$E_{X}$）和载流子浓度（$n_{S}$）分布模型。此外，ASM - HEMT 中饱和区工作状态的建模依赖于无物理意义的经验参数。在本研究中：1）计算作为饱和区建模核心参数的有效栅长（$L_{G,eff}$），以描述 H...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇关于T栅GaN HEMT改进紧凑模型的研究具有重要的战略价值。GaN功率器件是新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术，直接影响系统的功率密度、转换效率和可靠性。 该研究针对ASM-HEMT工业标准模型的不足，提出了基于有效栅长的改进方案，这对阳光电源的产品开发具有三方...
用于光伏应用的Cu(In1-xGax)Se2薄膜的温度依赖性生长与表征
Temperature-dependent growth and characterizations of Cu(In1-xGax)Se2 thin films for photovoltaic applications
Shafiq Ahmed · Naresh Padha · Zakir Hussain · Shammi Kumar 等5人 · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
采用多源顺序蒸发层沉积技术制备Cu/In/Ga/Se叠层前驱体，并通过热退火工艺合成了Cu(In1-xGax)Se2（CIGS）薄膜。前驱体层在约1×10–4 Pa的真空条件下利用热蒸发方法沉积而成。将沉积后的叠层在10–1 Pa的真空环境中于473 K至623 K温度范围内以50 K为间隔进行退火处理。利用X射线衍射法对所生成薄膜中的纳米晶粒结构进行了分析。在473 K和523 K退火时观察到CuSe、CIGS和单质Se的混合相，而在573 K和623 K退火时则形成了单相CIGS薄膜。CIG...
解读: 该CIGS薄膜温度依赖性生长研究对阳光电源SG系列光伏逆变器的组件适配具有参考价值。研究表明573K退火温度下CIGS薄膜呈现1.10-1.53eV带隙和高吸收系数(2-6×10⁴cm⁻¹),其p型半导体特性(载流子浓度4.86×10¹⁴cm⁻³)适合作为吸收层。这为阳光电源优化MPPT算法、提升1...