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一种结合Vgs和Vds检测的SiC MOSFET短路保护方法
A Short-Circuit Protection Method for SiC MOSFET Using Combined Vgs and Vds Detection
| 作者 | Jiaming Xie · Jinxiao Wei · Hao Feng · Binbing Wu · Li Ran |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路保护 Vgs检测 Vds检测 电力电子 可靠性 故障保护 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种简单可靠的SiC MOSFET短路保护（SCP）方法，通过同时监测栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）实现。当Vgs和Vds同时超过预设阈值时触发保护，能有效应对硬开关故障等短路工况。
English Abstract
This letter proposes a straightforward and reliable short-circuit protection (SCP) method, termed vgs and vds-SCP, for silicon carbide (SiC) metal-oxide semiconductor field-effect transistors (mosfets) by simultaneously monitoring vgs and vds. The protection is activated when both vgs and vds exceed their respective preset thresholds, enabling effective protection against both hard switching fault...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器和储能系统（如PowerTitan、PowerStack）中大规模应用SiC功率器件以提升功率密度和效率，SiC的短路耐受能力成为系统可靠性的关键瓶颈。该方法通过双参数监测，能更精准地识别短路故障，避免误触发，对于提升组串式逆变器及PCS模块在极端工况下的鲁棒性具有重要参考价值。建议研发团队在下一代高功率密度SiC功率模块驱动电路设计中引入该协同检测逻辑，以优化故障保护响应速度，降低器件失效风险。